第八章 磁控溅射状态三个参数理论分析.pdfVIP

彝空与抵温 第13器第3期 178 V氆cuum＆e昝臀商∞ 2007华9隽 磁控溅射状态兰个参数理论分析 常学森，巳穗筑，捌滓，李飞，辩键 (东北戈学真空与流体点税研究中心，辽宁沈阳1lo004) 摘要：应用了宏观统计学的理论，以矩形平丽徽控溅射靶为例，分析了在不同的磁场、电场和真空魔的条件下， 橼持磁拉溅射靶的工作状悉，以及实现高质量磁控溅射薄膜的优化条件。通过分耩表明，磁控溅射的磁场、电塌与真 囊班存在菪密切的关系，巍擞控溅射串为了获得原予理想的沉积状态，疵、须对磁场、毫场与真空度的参数进箭台整的 设定。三者参数懿餮窀努矮遵籀萁雍在熬关系翮裁禧。 关毽谲：磋控酝赫；电璐强度；磁场强度；压力 中围分类号：TN305．92 文献标识码：^ THEANALYSISoNMAGNETICFIELD．ELECTRICFIELD 轰NDDEG盈置EoFVAC毛瑗，热垂FORI融GNETRONSPUTTER卫％ CHANG Xue-sea，BAik,-．chun，LIUKun，LlFei，ZRANGJinn， (VacuumandFlnid ResearchCenter，Northeastern 110004，China) Engineering University，Shenyang Abstract：Macrostatisticsis istaken∞an to theory planemagnettonsputteringtarget exampleanalyze appHed．Rectangle themethodto modelwell to quality叫gllettDn k印the嘛孽雌勺functionaland卵dmiza妇condition8随higll spuv,efing all tl|infiLmunder and indicates盘atexists different field，elee斑ea]fieldv鹅哪m出犁搅鲫difio黼，h affinity magnetic andvaellum field，elect蠢cs]fieM atomic amor塔them辨Iron dearee．For西幽gperfect depositionphase穗f％垂 to set of havebe magnetronfield，electrical Magneh—onSputtering，theparamelers field目d㈣㈣deg∞ve properly．The hasto ndes of of fieldandvacuum