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第六章 单片机存储器与IO端口扩展(一)
* 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 扩展I/O口分类:并行扩展和串行扩展 可编程和不可编程 80C51并行扩展I/O口是将I/O口看作外RAM的一个存储单元,与外RAM统一编址,操作时执行MOVX指令和使用RD﹑WR控制信号 构成输出口时,接口芯片应具有锁存功能 构成输入口时,接口芯片应具有三态缓冲和锁存功能 ③并行扩展I/O口 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 74373扩展输入口 (8D三态同相锁存器 ) 输入 输出 OE ? G ? D Q L H H H L H L L L L × 不变 H × × 高阻 DIP封装引脚图和功能表 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 典型应用电路 G接高电平,门控始终有效;从D0~D7输入的信号能直达Q0~Q7输出缓冲器;由80C51的RD和P2.7(一般用P2.0~P2.7为宜)经过或门与74373 OE端相连。 用74373扩展80C51输入口的优点:线路简单、价格低廉、编程方便。 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 【例】按图373的扩展,试编制程序,从373外部每隔1秒读入一个数据,共16个数据,存入以30H为首址的内RAM。 IND: MOV DPTR,#7FFFH ;置373口地址 MOV R0,#30H ;置内RAM数据存储区首址 IND0: MOVX A,@DPTR ;输入数据 MOV @R0,A ;存数据 INC R0 ;指向下一存储单元 LCALL DLY1s ;调用1s延时子程序 CJNE R0,#40H,IND0 ;判16个数据读完否?未完继续 RET ; * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 74377扩展输出口 输入 输出 OE CLK D Q L × × 不变 L 1 l L 0 0 × 0 × 不变 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 典型应用电路 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 【例】按图377扩展电路,试编制程序,从74377连续输出16个数据,输出数据区首址30H。 OUTD: MOV DPTR,#0DFFFH ;置377口地址 MOV R0,#30H ;置内RAM数据存储区首址 MOV R2,#10H ;置数据长度 OUT1: MOV A,@R0 ;读数据 MOVX @DPTR,A ;输出数据 INC R0 ;指向下一存储单元 DJNZ R2,OUT1 ;判16个数据输出完否?未完继续 RET ; * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 扩展总线驱动能力 当P0口总线负载达到或超出P0口最大负载能力8个TTL门时,必须接入总线驱动器 P0口传送数据是双向的,数据总线驱动器也必须具有双向三态功能 除双向数据总线外,80C51有可能扩展的还有控制总线中的WR、RD、PSEN、ALE和P2口高8位地址总线,属单向总线 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 1.双向总线扩展 控制信号 传输方向 ? CE ?DIR L L B A L H A B H × 高阻 74245引脚图、逻辑图和功能表 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 典型应用电路 * 应用电子系 * 第六章 单片机存储器与I/O端口扩展 二、并行扩展技术 输入 输出 1G 2G A ?
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