第十章 半导体制造工艺基础.pdfVIP

第五章 刻 蚀 Semiconductor Manufacturing Basic 刻蚀 前言 刻 蚀 刻蚀过程 1. 前言 光刻胶 2. 理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识 多晶Si 3. 干法刻蚀原理和设备 光 刻 Al合金 ·干法刻蚀机理/各向异性刻蚀机理 SiO 等 2 ·干法刻蚀设备 ·高密度等离子体的必要性和设备 4. LSI工艺用干法刻蚀的应用与挑战 刻 蚀 除去光刻胶没有 遮盖的不需要的 ·干法刻蚀要求的特性 部分薄膜 ·各种材料的刻蚀和有关问题 ·干法刻蚀引起的损伤 ·相应的环境问题 清除光刻胶,只留下薄 灰 化 膜的电路图形 5. 灰化 6. 结语 259 260 前言 前言 各向同性刻蚀和各向异性刻蚀 用各向同性刻蚀的微细加工 ◆各向同性刻蚀（isotropic etching） 在所有方向以相同速度进行的刻蚀 在一个大图形 　 掩膜下会产生侧向侵蚀情况 中底蚀可以忽 ◆各向异性刻蚀（anisotropic etching） 略不计 非各向同性刻蚀的情况 　 通常是指产生垂直侧壁的刻蚀情况 　 用干法刻蚀可以实现各向异性 微细图形中底 　 化学刻蚀是各向同性的 蚀不能忽视 各向同性 各向异性 有底蚀时无法 分辨掩膜下的 侧向侵蚀