氧化物薄膜晶体管技术及其在柔性有机发光显示中的-华南理工大学.DOC

2017年度广东省科学技术奖项目公示 项目名称 主要完成单位 单位2.广州新视界光电科技有限公司 主要完成人 （职称、完成单位、工作单位） 2.兰林锋（研究员、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责Ln-IZO半导体有源层新材料的开发，完成了高性能氧化物半导体材料的设计与表征。本人对本项目《主要技术发明》中所列的第1、2、3项技术发明作出贡献，是主要技术发明1的稀土钕掺杂的新型高性能MO半导体材料体系开发的负责人，在主要技术发明2的高性能背沟道刻蚀新结构的TFT器件，和主要技术发明3的基于阳极氧化绝缘介质技术的全低温MO-TFT工艺中，完成了器件性能的表征验证。） 3.徐苗（高级工程师、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责氧化物薄膜晶体管结构和工艺的开发，开发了新型BCE结构的TFT器件，简化了工艺，降低了生产成本，完成了高性能TFT阵列工艺技术开发。本人对本项目《主要技术发明》中所列的第1、2、4项技术发明作出贡献，是主要技术发明2的高性能背沟道刻蚀新结构的TFT器件设计的负责人，在主要技术发明1和主要技术发明4中，完成了TFT器件兼容性设计。） 4.王磊（副研究员、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责TFT和OLED系统总体集成和优化，开发了薄膜封装技术，打通了柔性超薄AMOLED显示屏制备技术。是主要技术发明4自主知识产权的全无机薄膜封装技术的开发负责人，在主要技术发明1、主要技术发明2和主要技术发明3中，负责TFT器件工艺的开发工作。） 5.邹建华（副研究员、工作单位：广州新视界光电科技有限公司、完成单位：广州新视界光电科技有限公司、主要贡献：完成了柔性OLED器件的开发工作，通过OLED器件结构设计、制备工艺优化，开发出了具有自主知识产权的适用于柔性显示的OLED新结构、新工艺。在主要技术发明2的高性能背沟道刻蚀新结构的TFT器件和主要技术发明4的自主知识产权的全无机薄膜封装技术中，负责OLED器件的设计和工艺兼容性开发工作。） 6.陶洪（助理研究员、工作单位：广州新视界光电科技有限公司、完成单位：广州新视界光电科技有限公司、主要贡献：负责AMOLED示范线的规划、设计和运行管理，将TFT和OLED工艺导入示范线，在示范线上成功试制了柔性AMOLED显示样机。在主要技术发明2的高性能背沟道刻蚀新结构的TFT器件和主要技术发明4的自主知识产权的全无机薄膜封装技术中，负责示范线的生产工艺兼容性开发工作。） 7.王坚（教授、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：完成了柔性OLED材料制备和器件的开发工作，并且完成了OLED印刷制备新工艺的开发，大幅提高了OLED的寿命，降低了生产成本。） 8.吴为敬（副教授、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责柔性AMOLED的电路版图设计和优化工作。在主要技术发明3中负责柔性AMOLED电路版图与低温工艺的兼容性优化工作。） 9.姚日晖（副教授、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责氧化物薄膜晶体管的稳定性机理研究和稳定性、寿命提升工作，在主要技术发明1和主要技术发明2中负责薄膜晶体管稳定性和寿命的性能提升优化工作。） 10.宁洪龙（研究员、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：主要负责TFT背板高导互联电路的设计和工艺开发。在主要技术发明1和主要技术发明2中负责TFT生产工艺的优化工作。） 11.徐华（未取得、工作单位：广州新视界光电科技有限公司、完成单位：广州新视界光电科技有限公司、主要贡献：负责TFT有源层制备和图形化工艺的研究，获得了各项工艺参数对TFT性能的影响，优化了TFT器件性能参数。在主要技术发明1和主要技术发明2中负责氧化物半导体有源层制备工艺和刻蚀工艺的研究。） 12.李民（助理研究员、工作单位：广州新视界光电科技有限公司、完成单位：广州新视界光电科技有限公司、主要贡献：负责柔性AMOELD薄膜封装工艺的开发。在主要技术发明4的自主知识产权的全无机薄膜封装技术中，负责薄膜封装工艺参数的优化工作。） 13.许伟（实验师、工作单位：华南理工大学、完成单位：华南理工大学、主要贡献：负责氧化物薄膜晶体管的掺杂氧化锌半导体有源层制备工艺的开发。是主要技术发明1中，负责掺杂氧化锌半导体有源层制备工艺的开发。） 14.周雷（工程师、工作单位：广州新视界光电科技有限公司、完成单位：广州新视界光电科技有限公司、主要贡献：负责TFT和OLED版图设计制图工作，在主要技术发明3中，负责低温工艺与TFT和OLED版图的工艺兼容性设计工作。） 15.庞佳威（未取