N沟道增强型功率场效应晶体管.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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N沟道增强型功率场效应晶体管

DH840 N沟道增强型功率场效应晶体管 1、概述与特点 DH840是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管。主要用途：AC-DC开关电源、DC-DC 电源转换器、高压H桥PWM马达驱动等。其特点如下： ●导通电阻低 ●低栅极电荷 ●开关速度快 ●低反向传输电容 ●100%单脉冲雪崩能量筛选测试 ●封装形式：TO-220C,管脚排列:G、D、S ●符合RoHS指令要求 2、电特性 2.1 极限值 (除非另有规定，Tc=25℃) 参数名称符号额定值单位最高漏极-源极直流电压 VDSS 500 V 最高栅极-源极电压 VGSS ±30 V I （T=25℃）D 8.0 A 连续漏极电流（T=100℃） 5.1 A 单脉冲雪崩能量(注1) EAS 620 mJ 二极管反向恢复最大电 dv/dt 5.0 V/ns 压变化速率(注2) T=25℃ P 2.0 W 耗散功率 a tot T=25℃ P 110 W C tot 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55～150 ℃ 焊锡最高温度 TL 300 ℃ 2.2 电参数 (除非另有规定，Tc=25℃) 规范值单参数名称符号测试条件最小典最大位漏源击穿电压 BV I=250μA,V =0V 500 V DSS D GS 零栅电压漏极电流 V =500V,V =0V,T=25℃ 25 μA DS GS C IDSS V =400V,V =0V,T=125℃ 250 μA DS GS C 栅源正向漏