YB 1601-1983硅多晶.pdf

Y日 中华人民共和国冶金工业部部标准 YB 1601-83 曰 硅 多 日日 1983-08-18发布 1984-10-01实施 中华人民共和国冶金工业部 批准 中华人民共和国冶金工业部部标准 YB 1601- 83 硅 多 晶 本标准适用于三抓氢硅、四氯化硅氢还原法和硅烷热分解法制取的棒状高纯硅多晶. 技术要求 .1 硅多晶技术参数指标应符合下表规定. 特 级 ，品 一 级 品 二 级 品 表面及断面状态 结晶致密，表面较平整，断面无夹层 结晶致密，表面较平整，无氧化夹层 直径，mm 25 25 Z5 25 直径允许偏差.% 士5 士5 土5 土5 基硼电阻率，0 ·cm ) 4500 2600 1500 1000 N型电阻率，0 ·cm 异 450 300 奋150 60 N型少数载流子寿命，Ws 芬 500 300 李 150 李100 含碳盈，个原子/cm1 2x10 5x101 65x100 含板且，个原子//cm 6 1x101, 提5x1011 5x1011 注:① 基硼电阻率和碳.氧含量为保证值。生产厂应经常进行基硼电阻串的检测。每年定期进行碳、氧含量的分 析。 ② N型少数载流子寿命值系指氢气下检验工艺测试的寿命值。 ③ 需方如有特殊要隶.供需双方可另行协议。 试验方法和检验规则 2.1 试验方法 2:1.1导电类型测试按GB1550-79a硅单晶导电类型测定方法》进行. 2.1.2N型少数载流子寿命测试按GB1553-79高频光电导衰减方法》进行，取其纵向中间部位 所测得的寿命值。 2.1.3 P型、N型电阻率测试按GB 1552-79《硅单晶电阻率直流器探针测量方法》进行. 2.1.4 含氧量、含碳量的测试分别按GB1557-83 《硅单晶中间隙氧 含量 的红外吸收方法》及 GB1558-83《硅单品中代位碳含量的红外吸收方法》进行. 2.1.5 表面状态用肉眼检查。 2.1.6 断而状态检验按GB4061-83a硅多晶的断面夹层化学腐蚀检验方法 》进行. 2.1.了直径用游标卡尺测量. 直径及其偏差测量位置 (系指同一支多晶棒)如下图所示. 直径允许偏差的规定仅适用于区熔法用的硅多晶。 2.2 检验规则 2,2.1产品应由供方技术监督部门进行验收，保证产品符合本标准要求，并填写产品质量证明书. 2.2.2 需方可对收到的产品进行质量检验，如检验结果与本标准规定不符时，可在收到产 品之日起 三个月内向供方提出，由供需双方协商解决. 中华人民共和国冶金工业部1983一8-佃发布 1984-10-01实施