高辉度电子源开发G会合.DOCVIP

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高辉度电子源开发G会合

高輝度電子源開発G会合 (第五回日本加速器学会インフォーマルミーティング) 会場:東広島市西条公民館第三会議室 日程:2008/8/6 時間:16:00-18:00 出席者:山本、許斐、奥見、中西(名古屋)、羽島、飯島、永井、西森(JAEA)、武藤、本田、春日、佐藤康(KEK)、岡本、檜垣、正中、久保、栗木(広島) [栗木] 電子銃打ち合わせをビデオ会議で行っているが、この機会に統一デザインの確立に向けて密度の濃い議論をしたい。 【500kV銃のデザイン案】羽島 Cock-croft電源、単独セラミックのつりさげ型(コーネルタイプ)のデザインを検討している。 ロードロックチャンバーの排気系をTMPのみ プリパレーションチェンバー排気系NEG+IP メインチャンバーNEG+IP+TMP 【500kV電子銃開発への提言】山本 真空、高電圧?高電界など課題があるが、今までの経験をいかして解決していくべき。 レーザによる加熱:運転可能温度を実験的に明かとし、冷却構造の検討が必要。 真空:NEGの極高真空における能力について検討し、余裕をもった配置とすべき。NEG粉体発生についても検討の上、考慮。 フォトカソード着脱時の粉体の発生を抑制するために、puckと電極間にクリアランスが必要。  印加電圧と電界強度限: 500kVのとき10MV/mだが, 7MV/m程度が安全ではないか?名古屋200kV銃ではガードリングがセラミック全面を覆っていないが、そのような構造も可能であり、電界低減に有効。 暗電流モニター:nAオーダーの放電個所をある程度(電極間あるいはタンク内)特定できる微小電流モニターが有効。 フォトカソード開発:バンドギャップが550nm近傍のフォトカソードが開発できれば、レーザー開発の困難な点が緩和される。 Q(永井):NEGからの粉体の発生はコーネルでも起こっているのか?予想より放射線が多いらしいが、関係があるのか? アクティベーション時にでるのか? A(山本):SAESによると種類によって多寡があるようだ。重力や電界により飛散するので、なるべく粉体が出ないものを選び、配置、電界の遮蔽などを考慮する必要。 Q(永井):電流計の場所は? A(山本):アースに対して1MΩ接続し、その間の電位差から暗電流を測定している。 【cERL電子銃開発グランドデザイン】栗木 チタンチェンバー 排気系は極高真空での排気速度の高いものを検討 カソードは調整機構を含めたうえで運転中は固定、アノードをギャップ調整のために可動、あるいは容易に交換可能とすべき、 セラミック 分割電極構造 フランジ(容器との取り合い)を早急に決めて、SF6容器は発注 セラミック本体は10MV/mを目安に電界を考慮し、予算的、技術的に最も大きい径で製作する ガードリング:検討を続ける。作り直しもありうる コーティングなし(条件だしをしないと効果なし) セラミックの放出ガス測定(山口大での会合)について、TiNコートは条件によって効果はあるが、不確定性が大きい。 Q (中西):効果があるというのは実験結果か? A(栗木):ULVACの実験、セラミック上のTiNコートではない Q(中西): セラミック上のコートに対してはデータがない? A(永井):伝導率があってもよいのであればデータはある。 C(栗木):コーティングの効果は不明なので、今回はコーティングなしとしたい。 Q(佐藤):コーティングなしとした場合、チャージアップなどの懸念は? A(栗木):電極間の電圧は名古屋の200kV銃と変わらない。問題ないだろう。 C(武藤):現状の設計検討は内径330mmである。 C(羽島):大きくしてのコストアップ、ろうつけの窯の大きさもある。予算の問題、電子銃も大きくなるのでは? A (栗木): 同一のフランジ径であればタンクや電子銃本体の大きさは変わらない。 C(武藤): コーネルの経験 350kVで放電するがこれは9MV/mに相当する。 C(羽島):一回り大きいもの考えるのであれば、ICFである必要はない。またガードリングで全体を隠さない設計をしてみたらどうか。武藤氏に設計をたのむ C (武藤):やります。 C (奥見):分圧していればセラミック全体を隠さなくてもよいと思われるし、ねじ止めで、ガードリング交換可能なので、あとからの変更も可能。 C(栗木):安全ファクターをとり、セラミック部の設計、製作を早急にすすめる。 【8月4日 山口大 栗巣研究室訪問報告】 栗木 ?極高真空のためにはTiが圧倒的に有利 ?到達真空度の高い排気系、1E-10から1E-11Paにおいては bakable cryo-pump Q(永井):4Kのクライオか?どこの部分まで?bakable?  Cryo-

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