溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响 (1).pdfVIP

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2017-07-02 发布于未知
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溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响 (1).pdf

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第34卷第2期压电与声光 Vo1．34No．2 2012年04月 PIEZ0ELECTRICS＆ ACOUSTOOPTICS Apr．20l2 文章编号：1004—2474(2012)02—0276—03 溅射功率对 AIN薄膜结构形貌的影响高扬，许绍俊，谌青青，孟祥钦，张彩虹，文忠，杨涛，杨成韬 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054；2．川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院，四川成都 610054) 摘要：采用直流反应磁控溅射法在 Si(111)基片上制备了AlN薄膜，利用 x线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜 (FEsEM)、原子力显微镜 (AFM)对不同溅射功率下制备的A1N薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明：在一定范围内，随着溅射功率的增大，薄膜厚度增加，晶粒逐渐长大，表面粗糙度也随之增大；A1N(002)择优取向改善明显，120W 时达到最佳。关键词：A1N薄膜；溅射功率；结构；形貌中图分类号：TB43 文献标识码：A EffectofSputteringPoweronCrystalStructure M orphology inAIN ThinFilms GAOYang ，XUShaojun ，CHENQingqing，MENGXiangqin ，ZHANGCaihong， W EN Zhong ，YANG Tao ，YANG Chengtao (1．StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina， Chengdu610054，China；2．GeologicalExploration＆ DevelopmentResearchInstituteofCNPCChuanqingDrillingEngineering CompanyLimited，Chengdu610054，China) Abstract：A1N thinfilmsweredepositedbythedirectcurrent(DC)reactivemagnetronsputteringtechniqueon Si(111)substratesatdifferentsputtering power．TheX—raydiffraction (XRD)，fieldemissionscanning electron morphology (FESEM)andatomicforcemicroscope (AFM)wereemployedtOcharacterizethefilms’morphology depositedatdifferentsputteringpower． Theresultsshow thatwithin acertain range，thefilm thickness，crystal grainsizeandsurfaceroughnessvaluesincreasedwith increasingtheinputsputteringpower；thepreferentialf—axis orientationhasbeenimprovedsignificantlywitbincreasinginputsputteringpowerandithasbeenbecomeoptimal whentheinputpowerwasuptO 120W ． Keywords：A1N thinfilms；putteringpower；structure；morphology 0 引言