水平腔面发射半导体激光器研究进展 - 中国光学.PDFVIP

第１０卷　第２期 　　　　 　　中国光学　　　　　　　 Ｖｏｌ．１０　Ｎｏ．２ 　 　　 　　　　　　　 ２０１７年４月　 　 　 Ａｐｒ．２０１７ ＣｈｉｎｅｓｅＯｐｔｉｃｓ 文章编号　２０９５１５３１（２０１７）０２０１９４１３ 水平腔面发射半导体激光器研究进展  海一娜，邹永刚 ，田　锟，马晓辉，王海珠，范　杰，白云峰 （长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春 １３００２２） 摘要：近年来，水平腔面发射半导体激光器具有高功率、高光束质量及易封装集成等优良性能，已成为激光器领域的研究 热点。本文详细阐述了几种水平腔面发射半导体激光器的结构设计、工作原理以及激光输出特性，并对该激光器国内外 必威体育精装版研究进展与发展现状进行了总结和论述。在此基础上，对该激光器的研究方向和发展趋势进行了分析与展望。目 前，水平腔面发射半导体激光器的激光输出功率可达瓦级，美国Ａｌｆａｌｉｇｈｔ公司引入曲线形光栅的单一发射器输出功率可 达７３Ｗ。随着应用领域的不断拓展，中远红外波段水平腔面发射激光器将成为未来的研究焦点。 关　键　词：面发射；转向镜；二阶光栅；光子晶体；半导体激光器 中图分类号：ＴＮ２４８．４　　文献标识码：Ａ　　ｄｏｉ：１０．３７８８／ＣＯ０１９４ Ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｓ  ＨＡＩＹｉｎａ，ＺＯＵＹｏｎｇｇａｎｇ，ＴＩＡＮＫｕｎ，ＭＡＸｉａｏｈｕｉ，ＷＡＮＧＨａｉｚｈｕ，ＦＡＮＪｉｅ，ＢＡＩＹｕｎｆｅｎｇ （ＳｔａｔｅＫｅｙｌａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＨｉｇｈｐｏｗｅｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００２２，Ｃｈｉｎａ） Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇａｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｚｏｕｙｇ＠ｃｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ，ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｓｈａｖｅｂｅｃｏｍｅａｈｏｔｒｅｓｅａｒｃｈ ｔｏｐｉｃｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｌａｓｅｒｓｄｕｅｔｏｉｔｓｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｓｕｃｈａｓｈｉｇｈｐｏｗｅｒ，ｈｉｇｈｂｅａｍｑｕａｌｉｔｙ，ｅａｓｙｐａｃｋａ ｇｉｎｇ，ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎａｎｄｓｏｏｎ．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｄｅｓｃｒｉｂｅｓｅｖｅｒａｌｔｙｐｅｓｏｆｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｓｅｍｉ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｓａｎｄｔｈｅｉｒｗｏｒｋｉｎｇｐｒｉｎｃｉｐｌｅ，ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｅｓｉｇｎａｎｄｆｅａｔｕｒｅｓ．Ｔｈｅｎ，ｗｅｓｕｍｍａｒｉｚｅａｎｄｒｅｖｉｅｗ ｔｈｅｐｒｅｓｅｎｔｒｅｓｅａｒｃｈａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｌａｓｅｒｓａｔｈｏｍｅａｎｄａｂｒｏａｄ，ａｎｄｏｎｔｈｉｓｂａｓｉｓ，ａｉｍｉｎｇａｔ ｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｗｏｒｋｆｏｒｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｓａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｔｒｅｎｄｓ，ａｆｕｒｔｈｅｒ ａｎａｌｙｓｉｓａｎｄｏｕｔｌｏｏｋａｒｅｇｉｖｅｎ．Ｃｕｒｒｅｎｔｌｙ，ｔｈｅｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒｏｆｔｈｅｈｏｒｉｚｏｎｔａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎ