有哪些信誉好的足球投注网站- 1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
总剂量效应致013 μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物 - 物理学报
总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 Enhancedchannelhotcarriereffectof0.13 msilicon-on-insulatorNmetal-oxide-semiconductorfield- effecttransistorinducedbytotalionizingdoseeffect Zhou Hang Zheng Qi-Wen Cui Jiang-Wei Yu Xue-Feng Guo Qi Ren Di-Yuan Yu De-Zhao Su Dan-Dan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,096104(2016) DOI: 10.7498/aps.65.096104 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.096104 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 Dose-ratesensitivityofdeepsub-microcomplementarymetal oxide semiconductor process 物理学报.2016,65(7): 076102 /10.7498/aps.65.076102 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 Reliabilityof partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect tran- sistorundertheionizingradiationenvironment 物理学报.2015,64(8): 086101 /10.7498/aps.64.086101 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 Radiationeffectofdeep-submicronmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorandparasitictransis- tor 物理学报.2014,63(22): 226101 /10.7498/aps.63.226101 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法 Onlineandofflinetestmethodoftotaldoseradiationdamage on staticrandom access memory 物理学报.2014,63(8): 086101 /10.7498/aps.63.086101 Co- 射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 Researchondarksignaldegradationin Co -ray-irradiatedCMOSactivepixelsensor 物理学报.2014,63(5): 056102 /10.7498/aps.63.056102 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 9 (2016) 096104 总剂量效应致0.13 m部分耗尽绝缘体上硅N型 金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子 增强效应 周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 1) (中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 3)(中国科学院大学, 北京 100049)
文档评论（0）