半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法-太赫兹科学与电子信息学报.PDFVIP

第 13 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．13，No．1 2015 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb．，2015 文章编号：2095-4980(2015)01-0160-09 半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法 李 沫 a,b ，孙 鹏 a,b ，宋 宇 a,b ，代 刚 a,b ，张 健 a,b* ( 中国工程物理研究院 a. 电子工程研究所；b.微系统与太赫兹研究中心，四川 绵阳 621999) 摘 要 ： 因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求，激光 模拟辐射电离效应方法应运而生，并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟 装置，激光模拟方法具有许多独特优势，可为深入认识半导体器件辐射效应，开展有针对性的抗 辐射加固设计提供重要的补充手段，其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了 γ 射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理，归纳了激光模拟的物理基础和主要 特点，总结了国内外发展的情况，深入分析了当前研究存在的问题，并提出了开展研究可以采取 的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。 关键词 ：半导体器件；辐射电离效应；激光模拟 中图分类号 ：TN99 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201501.0160 Basic principles and research progress of laser simulation of ionization radiation effect in semiconductor devices a,b a,b a,b a,b a,b* LI Mo ，SUN Peng ，SONG Yu ，DAI Gang ，ZHANG Jian (a.Institute of Electronic Engineering；b.Microsystems and Terahertz Research Center，China Academy of Engineering Physics， Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract ： According to the requirements of safe, simple and nondestructive radiation effect investigation of semiconductor devices, the method of laser simulation was proposed and greatly promoted. Compared with large-scale facilities, laser simulation has various unique advantages. It helps understand the ionization radiation effect in depth and is an effective low-cost, table-top supplement for the hardness assurance. Its