半导体材料之光电性质量测与探讨Measurement of Optoelectronic.PDFVIP

半導體材料之光電性質量測與探討 Measurement of Optoelectronic Semiconductor Materials 指導教授 : 施仁斌 教授 專題 組員 : 施伯政、范榕宸、李重柏 1. 摘要 3.1 不同循環次數的 SEM分析 從 SEM形貌分析中，可瞭解所沉積之In O 薄膜其表面及截面微結構之形態情況。分析 2 3 結果可得知，循環 次數90次之 In O 薄膜 ，如圖3-所示1 ，表面所呈現的形貌為 雲塊狀，較 本專題以離子反應沉積法製備三氧化二銦薄膜後，利用UV光譜儀量測觀察材料透光率及 2 3 少有奈米方塊出現 ；循環 次數120次之 In O 薄膜 ，如圖3-所示2 ，表面所呈現的形貌開始出 反射率，再透過 KEITHLEY 2430 脈衝式源表量測出光電流，最後得出薄膜在光的照射下 2 3 現顆粒 狀且出現較多的 奈米方塊；循環 次數150次之In O 薄膜 ，如圖3-所示3 ，表面所呈現 電壓、電流、電阻的 交互關係。 2 3 的形貌 為明顯的顆粒 狀和奈米方塊。 2. 製備三氧化二銦 2.1 ITO基板的清洗流程 (1)浸 於丙酮中，並以超音波震盪15分鐘，接著再浸於D.I.水中，再以超音波震盪 10分鐘 ， 其目的用以去除表面碳化物。 (2) 浸 於酒精中，並以超音波震盪15分鐘，接著再浸於D.I.水中，再以超音波震盪 10分鐘 ， 其目的用以去除表面有機質。 (3)最後使用氮氣吹乾，放入烘箱去除剩餘水氣。 2.2 製備三氧化二銦實驗流程 (1) 將基板浸入氯化銦溶液 15秒，以吸附陽離子 In3 。 (2) 將基板浸入雙氧水溶液 10秒，讓基板上的 In3 和 O2 。 圖 3-1 90次循環的SEM表面 (3) 將基板浸入90 ℃的去離子水中 30秒，以洗滌基板表面未參與反應的離子。 (4) 上述三步驟執行完我們稱為一個循環(cycles)(30次) ，而循環數可依實驗的需求而改 變 ，其中，洗滌用水是以燒杯裝置，並將其放置加熱