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財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 15 奈米元件金屬及金屬層間引洞蝕刻機』 招標規範書  說明： 本規範適用於財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室本次採購之『金屬及金屬層間引洞蝕刻設備』，其為一集結式電漿蝕刻系統之設計、製造機台第二規範之所有部件設備運送、搬入定位完成機台保險裝機 2.2.1 尺寸：2.2.2 厚度：225 ~ 750 μm( Basic System )： 機台基本系統至少需具備以下主要模組3節）： 卡匣放置位置 (Cassette Load Port Modules) 至少2組 晶圓傳送腔體 ( Transfer Modules ) 晶圓蝕刻製程腔體 ( Process Chamber ) 2 組，分別為 感應耦合式金屬層蝕刻製程腔體(ICP Metal Layer Etch Chamber) 反應離子式金屬層間引洞蝕刻製程腔體(RIE Dielectric Via Layer Etch Chamber) 獨立真空抽氣系統 ( Turbo Pump ) 電力控制箱( Power/ Control Rack ) 機台端氣體盤面( Gas Panel ) 設備操控系統 ( Operation Control System ) 安全連鎖裝置 ( System Interlock ) 2.3 適用蝕刻製程： 2.3.1 感應耦合式金屬層蝕刻製程腔體(ICP Metal Layer Etch Chamber)須可作為65nm邏輯製程蝕刻金屬閘極(Metal Gate)等結構之設備，其中蝕刻金屬層材料為TiN、TaN、W及AlSiCu等。 2.3.2 反應離子式金屬層間引洞蝕刻製程腔體(RIE Dielectric Via Layer Etch Chamber)須可作65nm邏輯製程蝕刻接觸窗(Contact) 或雙鑲嵌結構2.4 安全連鎖裝置至少須包含以下範圍：2.4.1 DC電源Power。 2.4.2 真空閥件。 2.4.3 真空壓力計。 2.4.4 冷卻水流量。 2.4.5 溫度過熱保護裝置。 硬體規格 投標廠商使用的部品須符合或優於以下所訂規格： 3.1 卡匣放置位置模組 (Cassette Load Port Modules) ： 3.1.1 卡匣SEMI認證規格尺寸，需可放置200mm 晶圓卡匣。 3.2 晶圓傳送腔體模組 (Transfer Modules) ： 3.2.1晶圓傳送腔體模組 (Transfer Modules)須包含晶圓緩衝區腔體(Load Lock ) 3.2.2 晶圓傳送機械手臂可在真空環境中傳送晶圓，並且不可揚塵。3.2.3 於設備誤動作時，不得傷及手臂本體( Robot Arm )。3.2.4 具備真空計監控腔體真空度。 3.2.5 具備監看視窗( View Port )，可用肉眼監看晶圓傳送動作。 3.2.6 具備晶圓傳送偵測裝置，可偵測掉片及破片。 3.2.7 腔體材質為鋁或不鏽鋼材質。 3.2.8 具備Bellow 密封的真空隔絕閥(Isolation Valve )。 3.2.9 所有真空腔體管件、閥件、壓力及流量計裝置皆需經超潔淨洗淨 (Ultra Clean)。3.2.10 晶圓傳送腔體模組(Transfer Modules)，需有晶圓對準系統。 3.2.11 晶圓傳送腔體模組需有大氣/真空緩衝區(ATM/VTM Buffer Station)。 3.2.12傳送系統驗收部份以傳送穩定性需通過連續傳送500片以上，並且 無異常發生。 3.3 晶圓蝕刻製程腔體( Process Chamber )： 3.3.1 使用鋁質或不產生微粒的腔體材質並且經過陽極處理。 3.3.2感應耦合式金屬層蝕刻製程腔體(ICP Metal Layer Etch Chamber)： 3.3.2.1具備獨立的上電極與下電極的RF 電源供應器，操作系統需可獨立控 制上電極與下電極之輸出功率。廠牌為ENI、AE、 ULVAC或同級品， 國內需有代理商可維修。1500W，下電極偏壓功率(Bias Power)輸出功率需大於或等於1250W。 3.3.2.3 蝕刻腔體需具備可加熱式