hm2103芯片数据手册v10 1 特点2 描述3 应用领域.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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hm2103芯片数据手册v10 1 特点2 描述3 应用领域

大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 HM2103芯片数据手册V1.0 1.特点  高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V  内建死区控制电路  自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通  采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力  专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动  HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出  LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出  外围器件少  静态电流小：4.5mA  封装形式：SOP-8 2. 描述 HM2103 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 HM2103高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN 内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。 3. 应用领域  电动摩托车控制器  变频水泵控制器  电动自行车控制器  无刷电机驱动器  100V 降压型开关电源  高压Class-D 类功放 Shenzhen HM Semiconductor Co.Ltd 1/ 10 http：// 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 4. 引脚 4.1. 引脚定义 HO VSVB LO 8 7 6 5 HM2103 1 2 3 4 Vcc HIN LIN GND 图4-1. HM2103 管脚定义 4.2. 引脚描述引脚序号引脚名称 I/O 描述芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为12V-15V,外接一个高 1 Vcc Power 频0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率MOS 管的导通与截止 2 HIN I “0”是关闭功率MOS 管 “1”是开启功率MOS 管逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率MOS 管的导通与截止 3 LIN I “0”是开启功率MOS 管 “1”是关闭功率MOS 管 4