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ccd-mos 高精度界面态的测试研究
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:
doi 103969/ jissn1003353x2010z1051
CCDMOS高精度界面态的测试研究
袁之光,荣丽梅,张富,杜江峰,郭跃伟,郭宇恒
(电子科技大学微电子与固体电子学院成都, )
610054
摘要:高精度界面态测试是 可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,
CCDMOS
讨论了采用 电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容
Agilent 4294A
和误差的关系也对 样品进行了测量及相关讨论该方法界面态测试精度小于10 2
, CCDMOS 。 10 cm
1,研究结果为 高精度界面态测试提供了重要依据。
eV CCDMOS
关键词 电导法界面态
:CCDMOS; ;
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )增刊
TN407 A 1003353X 2010 018803
Study on High Accuracy Measurement of
CCDMOS Interface State
, , , , ,
Yuan Zhiguang Rong Limei Zhang Fu Du Jiangfeng Guo Yuewei Guo Yuheng
( , , , )
School of Communication and Information Engineering University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054 China
:
Abstract The high accuracy measurement of interface state is the key point of CCD reliality The
precision and parasitic error of conductor method using Agilent4294A is analyzed by modeling Furthermore,
,
the CCDMOS sample was measured by conductor method and the result was discussed The research is not
10 2 1
·,
only prove the precision of conductor method less than 10 cm eV but also provide high accuracy m
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