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n 沟道sic 功率mosfet cge1m120080
N 沟道 SiC 功率 MOSFET CGE1M120080
特点 VDS 1200V
ID 31A
低导通电阻下的高阻断电压 RDS(on) 80mΩ
高速开关特性
低的开关损耗 TO-247 Package
低反向快速恢复二极管特性
优点
高的系统效率
低的冷却需求
高的功率密度
更高的系统开关频率 1. 栅极 2. 漏极 3. 源级
应用 3
新能源
开关电源 1
高压 DC/DC转换器
电机驱动 2
光伏逆变器
o
最大额定值(除非另外说明 ，否则 T = 25 C)
C
参数 符号 值 单位
漏源电压 VDSS 1200 V
N 沟道 SiC 功率 MOSFET CGE1M120080
Tc=25°C ID*1 31 A
漏极电流
Tc=100°C ID*1 22 A
脉冲漏极电流 ID,pluse*2 77 A
栅源电压 VGSS -4~22 V
工作结温 Tj 175 ℃
存储温度范围 Tstg -55~+175 ℃
o
电气特性(除非另外说明 ，否则 T = 25 C)
C
静态特性
值
参数 符号 单位 测试条件
最小值 典型值 最大值
漏源击穿电压 V 1200 - - V V =0V, I =1mA
(BR)DSS GS D
栅极阈值
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