模电填空题答案1.docVIP

第一章 一、填空题 1．杂质半导体分为（ N ）型和（ P ）型。自由电子是（ N ）型半导体中的多子。空穴是（ N ）型半导体中的中的少子。 2．杂质半导体中的少子因（本征激发）而产生，多子主要因（ 杂质电离 ）而产生。 3．常温下多子浓度等于（ 杂质 ）浓度,而少子浓度随（ 温度 ）变化显著。 4．半导体中的（ 扩散 ）电流与载流子浓度梯度成正比；（ 漂移 ）电流与电场强度成正比。 5．当（ P ）区外接高电位而（ N ）区外接低电位时，PN结正偏。 6．PN结又称为（ 空间电荷区 ），（ 耗尽层 ），（ 阻挡层 ）和（ 势垒区 ）。 7．PN结的伏安方程为（ ）。该方程反映出PN结的基本特性是（ 单向导电 ）特性。此外，PN结还有（ 电容 ）效应和（ 反向击穿 ）特性。 8．PN结电容包括（ 势垒 ）电容和（ 扩散 ）电容。PN结反偏时，只存在（ 势垒 ）电容。反偏越大，该电容越（ 小 ）。 9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为（ 0.7 ）伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为（ 0.3 ）伏。 10．（ 锗 ）二极管的反向饱和电流远大于（ 硅 ）二极管的反向饱和电流。 11．PN结的反向击穿分为（ 雪崩 ）击穿和（ 击纳 ）击穿两种机理。 12．稳压管是利于PN结（ 反向击穿电压稳定的 ）特性工作的二极管。 13. 变容二极管是利于PN结（ 反偏时势垒电容 ）特性工作的二极管。 14．二极管交流电阻rd的定义式是（ ），rd的估算式（ ），其中热电压VT 在T=300K时值约为（ 26 ）mV。 第二章 一．填空题 1．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在（ 放大 ）区，当发射结和集电结都（ 正偏 ）时，BJT饱和；当发射结和集电结都（ 反偏 ）时，BJT截止。 2．放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是（ ）。而放大偏置的PNP管，三电极的关系是（ ）。 3．为了提高值，BJT在结构上具有发射区杂质密度（ 远大于 ）基区杂质密度和基区（ 很薄 ）的特点。 4．ICBO 表示（ 集电结反向饱和电流 ），下标O 表示（ 发射极开路 ）。ICEO表示（ 穿透电流 ），下标O表示（ 基极开路 ），两个电流之间的关系是（ ）。 5．在放大区，iC 与iB 的关系为（ ），对Si 管而言，iC ≈（ ）。 6.共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是（ ）。 7.在放大区，iE ﹑iC 和iB 近似成（ 线性 ）关系，而这些电流与vBE则是（ 指数 ）关系。 8．放大偏置的BJT 在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级电流，此现象称为（ 基区宽度调制效应 ）。 9．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是（ ）。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是（ ）。 10．当温度增加时，（ 增加 ），ICBO （ 增加 ），而共射输入特性曲线（ 左移 ）。（外部偏置电路一定时，这种左移使偏压减小。） 11．BJT的三个主要极限参数是（ ），（ ）和（ ）。 12．交流α的定义式为（ ）；交流β的定义式为（ ）。 13．当| | =1 时的频率称为BJT的（ 特征频率 ）。 14．在工程上，可将不等式（ mV ）作为双极性晶体管的线性模型成立条件。 15．BJT的小信号跨导gm定义式为（ ），估算式为（ ）。 16．rbe 和交流β其实是两个共射H 参数，它们与混合π参数的关系是rbe =（ ）, β=（ ）。 （后面的题号不太对应，但都能找到答案） 17．引入厄利电压VA是为了便于估算反映基调效应的混合π参数（ ）和（ ）。 1．场效应管（FET）依靠（ ）控制漏极电流iD,故称为（ 电压 ）控制器件。 2．FET工作于放大区，又称为（ 饱和 ）区或（ 恒流 ）区。此时iD主要受（ ）电压控制，而iD 几乎不随（ ）电压的改变而变化。 3．N沟道FET放大偏置时，iD 的方向是从（ 漏 ）极到（ 源 ）极；P 沟道FET放大偏置时，iD 的方向是从（ 源 ）极到（ 漏 ）极。 6．符号IDSS 的含义是（ 零偏（）饱和漏电流 ）。 7．沟道预夹断是指沟道在（ 靠近漏极端 ）位置刚好消失的状态。此时，vDS 与vGS 满足的关系式称为（ 预夹断 ）方程。 8．耗尽 型FET的小信号跨导定义为gm=（ ）。对于耗尽型管gm≈（ ）或（ ）；对于增强型管gm ≈（ ）。 9．在放大区，耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律关系式为（ ），而增强型管的平方律关系式为（ ）。 10．根据FET在放大区的外特性，它的栅极、源极和漏极分别与BJT的（ 基 ）极、（ 发射 ）极和（ 集电 ）极相似。 第三章 一、填空题 1．放大器的直流通路可用来求（ 工作点 ）