Ta/Pt双底层C0/Ni多层膜的反常霍尔效应.pdfVIP

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Ta/Pt双底层C0/Ni多层膜的反常霍尔效应

第 43卷 第 11期 材 料 工 程 Vo1.43 No.11 2015年 11月 第 19—23页 Journa1ofMaterialsEngineering Nov.2015 PP.19—23 Ta/Pt双底层 C0/Ni多层膜的反常霍尔效应 Extra0rdinaryHallEffectonCo/NiMultilayers withTa/PtUnderlayer 俱海浪 ,李宝河。,刘 帅 ,于广华 (1北京科技大学 材料科学与工程学院,北京 100083; 2北京工商大学 理学院,北京 102488) ju Hai—lang ,LIBao—he,LIU Shuai,YU Guang—hua (1SchoolofM aterialsScienceandEngineering,UniversityofScience andTechnologyBeijing,Beijing100083,China;2SchoolofScience, BeijingTechnologyandBusinessUniversity,Beijing102488,China) 摘要 :通过 JGP56OA型磁控溅射仪制备了一系列 以Ta/Pt为底层的 Co/Ni多层膜样 品,研究了多层膜 中Pt缓冲层厚 度 、周期层 中Co与 Ni厚度 以及多层膜周期数对样 品反常霍尔效应和磁性的影响。结果发现 :逐渐增厚的Pt层可以使 样 品的矫顽力增加 ,但是分流作用会导致样品的霍尔电阻降低 ,通过 比较确定 Pt缓冲层 的厚度为 2nm;磁性层 中Co和 Ni都处于一定厚度范围内时,多层膜的霍尔 回线才能具有 良好 的矩形度 ,当厚度超 出其特定范围时,多层膜的矩形度会 变差 ,经过分析确定磁性层 中Co和 Ni的厚度为均 0.4nm;磁性层的周期数对样 品的性能也有着显著的影响,最终通过 对周期数优化获得的最佳样品结构为 Ta(2nm)Pt(2nm)Co(0.4nm)Ni(0.4nm)Co(0.4nm)Pt(1nm),该样 品的霍尔 回线 矩形度非常好 ,霍尔信号明显,该样品总厚度在 7nm 以内,可进一步研究其在垂直磁纳米结构中的应用。 关键词 :co/Ni多层膜 ;反常霍尔效应 ;垂直磁各 向异性 doi:10.i1868/j.issn.1001—4381.2015.11.004 中图分类号 :0484.3 文献标识码 :A 文章编号 :1001—4381(2015)11-0019—05 Abstract:A seriesofCo/NimultilayerswithTa/Ptunderlayerwerepreparedbymagnetronsputtering technique.TheeffectofPt,Co,Nithicknessandtheperiodicnumberontheperformanceofanoma— lousHalleffectofCo/Nimultilayerswasinvestigated.Theresultsshow thatgraduallythickenedPt layerleadstoanincreaseincoercivityandlesseningHallresistanceandthethicknessofPtisdeter— minedas2nm.ThemultilayershavestrongperpendicularanisotropyduetothethicknessofCoandNi inacertainrangeandthethicknessofCoandNiistestedas0.4nm.F

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