第3章SEED5402DSK的组成和结构.pptVIP

DSK的电源：＋5V 电源。 板上的线性电源稳压器提供1.8V DC 核电压、3.3V DC 数字电压和5V DC 模拟电压。 DSK内嵌了一个仿真器：由测试总线控制器(TBC)提供的，并且既可以通过符合IEEE-1284 的并行接口来访问DSP主机接口(HPI)。同时它满足IEEE 标准1149.1(JTAG)，并且与代码调试器(Code Composer debugger)兼容。另外，也可以使用外部XDS510仿真器来调试DSK板，仿真器连接到板上的JTAG 连接器J1。 DSK 支持TMS320VC5402 DSP，工作频率可以高达100MHz，工作的核电压为1.8V，I/O 电压为3.3V DSK 包括电源稳压器PS767D318，它为DSP提供3.3V I/O 电压和1.8/2.5V 核电压。 外部程序存储器的可用大小是取决于OVLY 位的设置和MP/MC# 跳线的设置。 DSK提供了256K字的FLASH。FLASH工作在+3.3V的电源电压。 如果 OVLY位＝0 并且MP/MC#＝0，那么程序存储器的空间0x0000~0xEFFF(60K words)映射到外部存储器，是FLASH 还是SRAM 决定于控制寄存器的FLASHENB 状态位。在上电状态，FLASHENB位置位是为了允许从FLASH 引导。然后软件清除此位，使具有1个等待状态的SRAM 使用这个相同的存储器空间。 外部程序存储器的可用大小是取决于OVLY 位的设置和MP/MC# 跳线的设置。 如果MP/MC#＝0，那么0xF000~0xFFFF 是保留给片内ROM 和中断矢量表，并且外部程序存储器在0页是不可用的，但是在其它页可以使用，这些取决于OVLY 位的设置。 DSK 外部程序空间由外部存储器存取控制寄存器位来控制（CPLD-Based Control Register Bits）： DM_SEL = DMCTRL bit 7 FLASHENB = CNTL2 bit 5 外部程序存储器的I/O 空间是由2部分组成，一个是系统基于CPLD 控制空间，另一个是扩展板存储器空间。DM_SEL 位能够控制I/O 空间的访问。如果DSP 向此位写1，那么扩展板存储器的I/O 空间是不能被访问的。如果向此位写0，那么扩展板存储器的I/O 空间是可以被访问的。 DSK提供了64Kx16比特的SRAM，SRAM工作在+3.3V的电源电压。可以使用的外部数据存储器的大小取决于DROM 的设置。如果DROM＝0，那么0x4000~0xFFFF (48K words)的空间是外部存储器(FLASH 或SRAM)。如果DROM＝1，外部存储器只能使用0x4000~0xEFFF。 是否可以访问板上或扩展板存储器取决于DMSEL 控制寄存器位。如果DMSEL＝0(缺省)，那么可以使用板上的数据存储器。如果DMSEL＝1，那么可以使用扩展板存储器，并且地址开始于0x8000。数据存储器空间资源也取决于MP/MC 状态。 如果MP/MC = 1 并且 OVLY = 0，那么0x0000~0xFFFF 空间是分配给外部存储器( FLASH 或SRAM )。 在70ns FLASH 存储器的情况下(FLASHENB=1)，总线的速率为100MHz，访问FLASH需要7个等待状态。 在SRAM 情况下(FLASHENB=0)，总线速率为100MHz 时，访问SRAM需要1 个等待状态。 因为SRAM 和FLASH 共享同一个等待状态产生器， 5402 内部的等待状态产生器将必须从访问SRAM 的一个等待状态转换到访问FALSH 的7个等待状态。 如果MP/MC = 1并且OVLY = 1，则只有x4000~0xFFFF 是映射到外部存储器的。 I/O空间由2部分组成，一部分是系统基于CPLD的控制空间，另一部分是扩展板存储器空间。DM_SEL位是外部存储器存取控制寄存器位，能够控制I/O空间的访问。如果DSP向此位写1，那么扩展板存储器的I/O空间是不能被访问的。如果向此位写0，那么扩展板存储器的I/O空间可以被访问。 外部存储器存取控制寄存器位 CPLD-Based Control Register Bits: DM_SEL = DMCTRL bit 7 VC5402 DSP 的HPI 接口是8 位并行接口。 因为VC5402 DSP不能接受+5V信号，所以使用2个TI CBT缓冲器，把PPC34C60的输出转换到+3.3V兼容的信号。类似的是，2个CBT(多路复用器SN74CBT3257)是用来转换+5V TBC (测试总线控制器 )的输出的，同时也提供TBC与外部仿真端口之间