内层显像-蚀刻-剥膜处理-3.5M设备规范.docVIP

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2017-06-25 发布于河南
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内层显像-蚀刻-剥膜处理-3.5M设备规范

內層顯像/蝕刻/剝膜處理設備規範一、規範依據: 1.產能:350,000 ft2/月 2.產能依據:PCB PANEL SIZE 16(L) x 18(W) 板距 2 3.生產工時:25 天/月 x 20 工時/天 = 500 工時/月 4.PCB 規格:MAX 24 x 24 MIN 12 x 10 厚度 2 mil～80 mil(thin core) ，銅箔厚度 1oz≒1.4 mil 板件無孔 5.顯像條件:溼膜規格 0.8 mil 顯像藥液 1% Na2CO3 顯像溫度 28～32℃ Break point 42秒 6.蝕刻條件:蝕刻藥液 CuCl2 比重 1.280 HCl 含量 3.0 Mole/Liter H2O2 含量 25 Cap. 蝕刻溫度 48～52℃ 蝕刻速率 84秒 7.剝膜條件: 溼膜規格 0.8 mil 剝膜藥液 3% NaOH 剝膜溫度 45～55℃ 剝膜速率 51秒 8.酸洗條件:酸洗藥液 3～5% H2SO4 酸洗溫度常溫酸洗速率 6秒二、作業流程序: 入料→顯像→水洗→吸乾→檢視→蝕刻→水洗→吸乾→出料→入料→剝膜→水洗 →酸洗(中和)→水洗→吸乾→吹乾→烘乾→出料三、設備內容: 設備名稱機型代號設備長度 (mm) ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 1.入料輸送 LCV-088(U) 880 2.溼膜顯像 DVP-233(U) 2325 3.溼膜顯像 DVP-134(U) 1335 4.中壓複合水洗(配置FILTER) FWF-184(MU) 1840 5.滾輪吸乾 SQD-039(U) 385 6.檢視輸送 ICV-088(U) 880 7.氯化銅蝕刻 CET-233(U) 2325 8.氯化銅蝕刻 CET-233(U) 2325 9.氯化銅蝕刻 CET-233(U) 2325 10.複合水洗 QWF-156(U) 1560 11.滾輪吸乾 SQD-039(U) 385 12.出料輸送 FCV-055(U) 550 13.入料輸送 LCV-055(U) 550 14.震動式過濾剝膜 RSR-339(U) 3385 15.中壓循環水洗(配置FILTER) DWR-079(MU) 790 16.化學蝕洗 CRR-069(U) 685 17.複合水洗 QWF-156(U) 1555 18.滾輪吸乾 SQD-039