多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ４１ ９ 　 　 　 Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．９ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１２ ９ Ｓｅｔｅｍｂｅｒ２０１２ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｐ ： ／ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ１０７６ ｇ 多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟 张发云 （ 新余学院 新能源科学与工程学院，江西省高等学校硅材料重点实验室，江西 新余 ） １ ３３８００４ 摘 要：采用 有限元分析软件中的 模块对 种硅片绒面的陷阱坑 ＣＯＭＳＯＬＭｕｌｔｉｈｓｉｃｓ３．５ａ ＲＦ ３ 　 ｐｙ 形貌（轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀）的光学性能进行了数值模拟 通过求解麦克斯韦方程组和材 ． 料本构方程，获得了 种陷阱坑的表面电场 分量、表面磁场 分量和反射率的变化规律 结果表 ３ 狕 狔 ． 明：当波长为 时，轻度腐蚀陷阱坑的表面电场 分量和表面磁场 分量的数值最小，反射 ６００ｎｍ 狕 狔 率最高（约为 ）；正常腐蚀陷阱坑的表面电场 分量和表面磁场 分量其次，反射率约为 ； ３５％ 狕 狔 １７％ 过度腐蚀陷阱坑的表面电场 分量和表面磁场 分量的数值最大，反射率最低（约为 ）通过 狕 狔 １０％ ． 实验和模拟结果对比可知，模拟值和试验值的反射率变化趋势基本一致，两者吻合较好，可为实际 生产和试验提供理论参考． 关键词：多晶硅；陷阱坑；形貌；陷光；数值模拟 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＭ ９１４．４ Ａ １００４４２１３２０１２０９１０７６５ 　　　 　　　 于绒面形貌结构的设计和分析，为太阳电池制绒工 ０ 引言 　 艺参量的优化提供理论指导． 太阳电池的转换效率主要取决于它的收集光的 １ 数值计算模型 能力，表面光滑硅片的反射率相对较高 因此，在硅 　 ． 太阳电池中，通常采用绒面技术来降低硅片表面的 １．１