GIS设备典型缺陷及局部放电检测方法.PDFVIP

Operation Maintenance 运行维护 GIS设备典型缺陷及局部放电检测方法 任保忠，王军德，王鲲鹏，李……东，孙……飞 （聊城供电公司，山东…聊城…252000） GI S 设备并非不存在缺陷，其从厂家生产到现场装配 粒获得电荷并在电场作用下移动。如果电场足够强的话， 过程中都有可能产生缺陷。统计显示，GI S 设备内部故障 微粒很可能穿过接地外壳和高压导体之间的间隙，当微粒 以绝缘性故障为多。GI S 设备中绝缘性故障会导致内部局 靠近带电部分时，在强场力的作用下容易产生局部放电。 部放电的产生，使 SF6 气体分解，导致电场畸变，腐蚀绝 1.2 接触不良 缘材料，最终引发绝缘击穿。GIS 设备一旦发生绝缘闪络， 由表 1 可以看出，接触不 良缺陷发生的概率 占GI S 会引起大面积停电，造成巨大的经济损失。因此，对 GI S 总缺陷的 29% ，居所有缺陷之首。 典型缺陷局部放电进行研究是很有必要的。 GI S 内部，屏蔽电极广泛的用于控制电场强度，而且 屏蔽电极是用轻负载与导体接触的，而且对连接要求不 1 GIS内部主要缺陷 高。这些连接在最初的安装上是正常的，但是在以后的运 GI S 设备内部主要缺陷情况进行统计，统计情况如表 行过程中，由于时间的推移会老化和恶化，导致机械上的 1 所示。对可能出现的缺陷进行分类，结果如图 1 所示。 接触不良，进而在静电力的作用下产生机械振动，这种振 表1 GIS内部主要缺陷情况统计 动会进一步的引起恶化，最终出现悬浮电位。悬浮电位的 缺陷类型 故障比例/% 放电较强烈，很容易引起绝缘恶化。 微粒及异物 20 1.3 绝缘子缺陷 屏蔽罩接触不良 18 主接触头接触不良 11 绝缘子缺陷主要分为制造过程和其他缺陷引起的二次 绝缘子内的缺陷 10 效应。如果在制造过程中，绝缘子内部会残留一些微小的 高压导体上的尖刺 5 气泡，经过长时间运行会导致局部放电的产生。由于其它 潮湿 7 其它 29 的缺陷在绝缘子表面产生局部放电，放电产生的分解物和 外壳 金属微粒同样会引起绝缘子表面异常。 以上典型缺陷在 GI S 正常运行过程中会产生局部放 绝缘子缺陷 电，直接危害到 GI S 的正常运行。而且一旦出现事故， 导电杆 接触不良 影响程度也较同类的设备要大，因而对局部放电进行有效 毛刺 的检测，及早发现缺陷，预防事故的发生是非常有必要的。 支撑绝缘子 导电微粒 毛刺 2 局部放电检测方法 图1 GIS内部可能出现的缺陷类型 依据局部放电发生时的声、光、电等现象为依据，对 通过以上图表显示，可将 GIS 缺陷分为以下几类。 其进行检测的主要方法可以大致分为