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生长温度对长波长InPAlGaInAsInP材料LP-MOCVD生长的影响
第 20 卷第 12 期 半 导 体 学 报 . 20, . 12 V o l N o 1999 年 12 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 生长温度对长波长 InP A lGa InA s InP 材料 - 生长的影响 L P MOCVD 陈 博 王 圩 ( 国家光电子工艺中心 中国科学院半导体研究所 北京 100083) 摘要 研究不同生长温度下的 材料 生长, 用光致发光和 射 InP A lGa InA s InP L P M OCVD X 线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性, 得到了室温脉冲激射 13m A lGa InA s 有源区 结构材料, 为器件制作研究打下了基础. SCH M QW : 4320 , 0510 , 4250 EEACC J D 1 引言 ( ) 长波长 13155m 半导体激光器在光纤通信技术中有着重要作用, 然而普通的 In ( ) ( 激光器由于导带偏调量 c = 0. 4 g 小, 高温特性较差 其高温特性参数 0 GaA sP InP E E T ) 只有 60K 左右 , 因而在其组合件中需要复杂、昂贵的制冷器、监控器、外周控制电路等设 备. 高性能、无制冷、价格低廉的 13 和 155m 的半导体激光器是近年来人们研究开发的 热点. 是近年来发展较快的一种替代材料[ 1～ 4 ] , ( ) 与 ( ) A lGa InA s A lx Gay In 1- x - y A s Inx Ga 1- x [ 5 ] ( ) 有着相似的折射率、带隙和载流子的有效质量 , 然而 的导带偏调 A sy P 1- y A lGa InA s InP 量( = 0. 72 ) 大, 在高温下阻止电子溢出量子阱的限制能力强,
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