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奈米转印技术介绍
奈米轉印技術介紹
蔡宏營 博士
工研院機械所奈米工程技術部研究員兼經理
奈米轉印之緣起--從日常生活到微奈米科技
2003 年二月,Technology Review 報導指出「將改變世界的十大新興技術」
中,其中一項便是奈米轉印微影技術(Nanoimprint Lithography)[1] 。這樣一個奈
米轉印技術概念,可說是源自於日常生活中蓋印章的行為:也就是將刻好印模的
印章,沾上印泥用力壓印在平坦的物體表面上。此動作可將原來在印章上的圖案
轉印到另外一件物體表面上。在中國傳統技藝中,一種製作紅龜粿的過程就與奈
米轉印技術極為相近:在刻有烏龜的模板上塗抹沙拉油(相當於奈米轉印技術中
模仁表面處理以利後續脫膜避免沾黏)、將做好的粿放在烏龜圖案上並用手將粿
往圖案模板施加壓力(相當於奈米轉印技術中以熱壓或壓印後用UV 光曝照使高
分子材料結構成型)、拿起放在模板上的粿並稍微在桌面上用力敲使得粿能順利
落在手上(最後將硬化之高分子材料脫模),難怪發揚此一技術的代表性人物為
華人Stephen Y. Chou 。
奈米轉印技術(Nanoimprint technology)是由美國普林斯頓大學S. Y. Chou 教
授在 1996 年所提出的一種想法,主要是針對發展 100nm 以下線寬的微影技術。
此技術概念出發點為利用一在表面具有 sub-100nm 以下之奈米結構精密模仁
(mold) (可利用電子束微影直寫、X 光微影或離子光微影技術等方式製作),在
一塗佈熱塑性高分子材料(如 PMMA)之基板上,將溫度提高至 Tg 點以上進行此
精密模仁壓印(imprint)製程,使得此熱塑性高分子材料會隨著模仁表面結構而成
形。待溫度冷卻之後高分子材料固化,移開模仁,並以乾蝕刻清除殘餘光阻,進
而將模仁上之圖案轉印至基板上,其製作流程類似傳統熱壓成型法,製程流程圖
如圖一所示。
模仁
上光阻 光阻
基板
奈米轉印
脫模
1
圖一 奈米轉印技術與傳統熱壓成型技術相似
奈米轉印技術
就奈米轉印技術的意義而言,可定義為「將具有奈米結構之模仁,透過各種
方式(如熱壓、UV 光曝照等)將此結構圖案轉印至特定材料上,使其達到大量
轉印/量產化之目的」。基於此一技術發展的理由,很明顯可看出此一技術的優勢
便在於(1)可達到奈米級(100nm)小線寬:目前技術已經可達到 10nm 左右等級
[2] ,遠比半導體光學曝光顯影技術小甚多;(2)轉印速度快:相對於目前現有奈
米級成型技術(如E-beam 、FIB 等),具有量產優勢。因此,整個技術重點便在
於「模仁結構的精密製作」以及「轉印技術之產率與良率提升」。
根據文獻資料的整理可知,各類創新的相關技術者眾,也各擅其長。在奈米
轉印各類技術中,可歸納為三大主流技術:(1)熱壓成形式奈米轉印(Nanoimprint
Lithography, NIL ):透過熱壓方式達到大面積之奈米結構轉印;(2)步進光感成形
式奈米轉印(Step and Flash Imprinting Lithography, SFIL ):在室溫下進行UV 光
曝照使奈米結構成型;(3)可撓性奈米轉印(Soft Lithography ):結合Top-Down
及Bottom-Up 概念,以可撓性模仁可進行具有曲率表面之轉印製程。
1. 熱壓成形式奈米轉印 (Nano-Imprint Lithography, NIL)
此技術為普林斯頓大學Stephen Y. Chou 所主張的概念以及發展的重點,同
時也是發展較久的奈米轉印技術。其奈米模仁之材料可選擇金屬或 Si 晶片
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