X光光刻微影技术之研发计画国防工业范畴属性 - NSRRC.PDFVIP

計畫名稱： X 光光刻微影技術之研發計畫 國防工業範疇屬性： 奈米級尺寸量子、高速元件之研究 計畫成員及任務分配： 1.計畫執行指導（ PI ）：許博淵博士 2.國防工業訓儲預備軍 (士官：吳家豪) 研究動機與研發成果： 本研究計畫利用『X 光微影蝕刻技術』並配合『掃描式探針微影技術』等尖端科技製程技術來 進行奈米結構（Nano-structures ）與元件之研發，以期未來能提供國防軍事工業中奈米級高 頻、高速元件之研究。主要研究方向為二：（1）奈米電子元件結構技術之研發與應用，（2 ） 奈米機電元件（Nano Electro-Mechanical Systems ，NEMS ）與生物科技（bio-technology ）元 件技術之研發。截至目前為止，研發之成果計有國內外期刊與研討會論文十六篇等。 國防貢獻與相關科技之應用： 高科技的國防科技武器是一個國家工業化程度的指標。我國軍事通訊用途之高頻Ka頻段電子 元件，如：MMIC中的 HEMT元件和QWIP元件等，其製造技術一般皆仰賴電子束直寫系統（E- beam ）來定義它的閘極構造以達成特殊的閘極形狀(T-gate或角度，使其元件能應用操作於高) 頻通訊範圍。本研究計畫重點著眼於利用『掃描式探針微影技術』並結合『Ｘ光微影蝕刻技術』 來替代高操作成本的電子束直寫系統，藉由此種先進的微影蝕刻技術可研發製作出特殊奈米級 （Nano-scale ）的閘極結構及元件，不但可以應用於軍事用途高頻電子元件的製作技術，並且可 以縮短高頻通訊元件的設計週期與製程時間，因而提昇製程產能。因此，無論是在民生科技與國 防工業軍事通訊元件製作方面皆具有十分重大意義的。 Multi-Scan Writing Technique with SPM Four scans: one to four pixels writing Cross-section •Multi-pixel writing for local oxidation with pitch:15~40 nm [110] AFM tip [111] Six pixels [112] Top view Pixel no. 6 5 4 3 2 1 Bias Silicon substrate Nano-structure: 20 nm and aspect ratio of 10:1