液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究-发光学报.PDF

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2017-06-24 发布于天津
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液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究-发光学报

183 Vol . 18No. 3 19979 CHINESE J OU RNAL OF LU MINESC ENCE S pt . , 1997 液封坩埚下降法生长非掺杂 InP 单晶的特性研究* 康俊勇　黄启圣 ( , 361005) 松本文夫 ( , , 369, ) 福田承生 ( , 980, ) ( LE-V B) 100InP . LE-VB 4. 2K Zn - ( DA) . ( LEC) , LE-V B , ; DA ; . , , - . LE V B LEC Hub r , LE-BV , LEC . , LE-VB , , LEC . , , 1　引　　言 InP , , . InP ( LEC) , [ 1] , ( LE-VGF) 100InP . , - , , LE VGF . , , , InP . - , . LE VB InP LEC , . * 1996129 206 18 2　晶体生长与实验方法 InP . , 50mm . 48mm 100LEC InP . , 400InP 2 150. 40kg/ cm , . , ( 210 / ) , . , mm h . ( 100) , X . ; XY . Kr+ 647nm , 110mW , 100m . , Jobin-Yvon HR320 . , . pin , . [ 2] . . 3　实验结果与讨论 , LE-VB , 0. 70 1. 55 V , 1. [ 3] 1. 415 V, ( BE) , , 2K , InP Zn [ 4] . , 1. 3751. 3321. 289 1. 246 V, 43m V , InP LO 1InP . 1