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宽能隙P型氧化锌透明导电薄膜电极之研究
行
精
類
行 年年
行
林
參理劉
理
年
NSC 96 2221 E 168008
96 8 1 97 7 31
Zn N (99.99%)
3 2
Zn N
3 2
50 (300~500) ZnO
XRD Zn N
3 2
436 kΩ/ Zn N
3 2
Zn N Zn N DC
3 2 3 2
IV
18 -3 2
9.19Ω-cm 1.1x10 cm 5.56cm /vs P
Abstract
In this case, Zn N thin films were deposited using a RF magnetron sputtering system with zinc
3 2
(99.99% purity) as a target material and Ar and N as reactive gases. The Zn N films were grown
2 3 2
with various substrate temperature s, and then were annealed in a tube type q uartz furnace at
constant annealing time of 50 minutes. The films were o xidized to for
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