TTL反相器高电平输出等效电路TTL反相器高电平输出特性.PPTVIP

门电路 (*) 数字系统设计--TTL 刘鹏 浙江大学 信息与电子工程学院 双极型三极管的开关特性 工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程 双极型三极管的输入特性曲线 以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路，则可以测出表示输入电压VBE和输入电流iB之间关系的特性曲线 双极型三极管的输出特性曲线 以集电极C和发射极E之间的回路作为输出回路，则可以测出在不同iB值下表示集电极电流ic和集电极电压VCE之间的关系曲线 双极型三极管的基本开关电路 双极型三极管的开关等效电路(a)截止状态 (b)饱和导通状态 三极管非门（反相器） 接入电阻R2和负电源VEE,使三极管可靠地截止 当输入信号为高电平时，保证IBIBS,工作在深饱和状态，三极管输出电平接近于零 TTL反相器电路结构 输入级：由T1,R1, D1组成，D1是保护二极管，防止输入端电压过低 倒相级：由T2,R2, R3组成，T2集电极输出驱动T3,发射极输出驱动T4 输出级：由T3,T4, R4,D组成 工作条件： 三极管电流放大系数?为20，电源电压Vcc=5V. 输入信号的高低电平为VIH=3.6V, VIL=0.2V, 开启电压VON=0.7V. TTL反相器工作原理 定性分析 VI=VIL=0.2V, T1基极电流iB1流入发射极，即由反相器输入端流出，因此iB2≈0, T2截止, T4也截止. T3和D将导通，输出为高电平VOH. VI=VOH=3.6V, T1倒置，即发射极和集电极颠倒；iB1流入T2基极，使T2饱和导通，从而T4饱和导通，T3和D截止，输出为低电压VOL. 定量分析 TTL反相器的电压传输特性 阈值电压/门槛电压 AB:截止区 BC:线性区 CD:转折区 DE:饱和区 TTL反相器的输入特性 输入伏安特性曲线：反映输入电流ii和电压Vi关系的曲线 TTL反相器输出特性 TTL反相器高电平输出等效电路 TTL反相器高电平输出特性 TTL反相器输出特性 TTL反相器低电平输出等效电路 TTL反相器低电平输出特性 输入端负载特性 TTL反相器输入端负载特性 TTL反相器输入端经电阻接地 时的等效电路 Vi=(Vcc-VBE1)Rp/(R1+Rp) 传输延迟时间 tPHL:输出电压由高电平变为低电平的传输延迟时间，从Vi波形上升沿的中点到Vo波形下降沿的中点的延迟时间. tPLH:输出电压由低电平变为高电平的传输延迟时间，从Vi波形下降沿的中点到Vo波形上升沿的中点的延迟时间. tpd平均传输延迟时间 tpd=(tPHL+tPLH)/2 TTL反相器的交流噪声容限 （a）正脉冲噪声容限 （b）负脉冲噪声容限 TTL反相器电源电流的计算 （a）VO＝VOL 的情况 （b） VO＝VOH的情况 TTL反相器的电源动态尖峰电流 电源尖峰电流带来的影响： 使电源的平均电流增加 尖峰电流将通过电源线和地线以及电源的内阻形成一个系统内部的噪声源 TTL与非门/或非门电路 P N c e b e c b e c b N N P c e b (a)NPN (b) PNP 半导体三极管结构 特点： (a) iB 0 ; iC/iB=β (b)发射结（BE）正偏 集电结（BC）反偏 (c) VCE 0.7V 且iB一定时， iC ，VCE iC O VCE iB=0 iC vI iB vCE 临界饱和线 截止区 放大区 特点： 饱和区 iC =0时， VCE ≈0 特点： (a) iB 0 ; iC/iBβ (b)发射结和 集电结都正偏 三极管输出特性 iB O VBE ed VCE 饱和 截止 因为，BE为一个PN结，所以输入特性类似二极管特性，但受VCE影响： iB一定时，VCE ，VBE 。 iC vBE iB vCE 三极管输入特性 （1）截止 b c e b c e 0.2V 0.7V （2）饱和 c b e βiB 0.75V Rce （2）放大 vCE与饱和深度有关，平均值为0.2V 与VCE有关， vBE不同， 计算时都可用0.7V近似 BE与CE均截止 等效电路 VCC RC iC vI RB iB vO (1) vI Von (0.7V)时, iB =0: 截止 (2) vI Von (0.7V)时, iB 0: 导通 饱和？放大？ 方法1：求临界饱和基极电流IBS iB IBS :饱和 iB IBS :放大 方法2: 假设放大，验证是否正确？ （计算VCE值： VCE 0.7V,放大；否则饱和。） 三极管的基本开关电路的计算 10V 1k 6V 50k β=50 T 1 Ω Ω 放