G.微电子与光电子材料-中国材料研究学会.PDF

G. 微电子与光电子材料 分会主席：王曦、宋志棠、杨德仁 G-01 后摩尔时代的新型微电子材料技术 张兴 北京大学 G-02 相变存储技术 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 G-03 阻变存储器（RRAM ）中的阻变材料、结构及其电极的选择 钱鹤 清华大学 G-04 高深宽比限制技术（ART ）生长Si 基GaAs 及InP 等材料的研究 李士颜, 周旭亮, 孔祥挺, 米俊萍, 李梦珂, 潘教青 中国科学院半导体研究所100083 为了应对大规模集成电路在 10nm 技术节点一下所面临的挑战，在 Si 工艺中引入高迁移率III-V 族沟 道材料被认为是进一步提高CMOS 器件性能的可行性方案。本文通过金属气相沉积技术（MOCVD ），利 用高深宽比限制技术（ART ），在刻蚀有纳米尺度的V 型沟槽的Si 图形衬底上（侧壁为SiO ），通过选 2 区外延生长，制备了高质量的GaAs 和 InP 材料。该方法可以有效的抑制反相畴位错的产生，并且利用高 深宽比SiO 侧壁，有效的限制了失配位错向外延层表面的传播。以GaAs 和InP 作为Si 图形上的虚拟衬底， 2 我们进一步实现了纳米尺度沟槽内InGaAs 和AlGaAs 材料的的异质外延。通过扫描电子显微镜（SEM）对 材料外延形貌进行了分析，并通过高分辨率X 射线衍射（HRXRD ）对材料质量进行了表征。利用室温PL 谱测试分析，我们确定了 GaAs 缓冲层上得到的三元化合物的组分分别为：In0.1Ga0.9As 和Al0.23Ga0.57As 。 通过HRXRD 测试分析表明，以InP 为缓冲层，在Si 图形衬底上实现了高In 组分的In0.6Ga0.4As 高迁移率 沟道材料。该方法为未来在Si 基上实现高迁移率器件和光电子集成电路提供了一种可行性方案。 关键词：高深宽比限制，III-V 族材料，HRXRD ，高迁移率 G-05 钆掺杂对Ta2O5 基阻变式存储器的影响研究 石凯熙, 徐海阳, 张磊, 王中强, 赵晓宁, 马剑钢, 刘益春 东北师范大学物理学院130024 目的：为了更好的实现Ta O 材料的应用，进一步提升器件性能、增加存储窗口。 2 5 方法：在实验中，我们通过磁控溅射的方法在室温条件下，制备了Pt/Ta O /Pt 和Pt/Gd:Ta O /Pt 两组对比 2 5 2 5 器件。 结果：与未掺杂的Ta O RRAM 器件相对比，掺入三价态钆离子(Gd3+) 的Ta O RRAM 器件具有更小的形 2 5 2 5 成电压、更高的开关比率及其更快的转换速度，同时，这个器件还具有较好的高温耐受性。 结论：通过向n 型Ta O 中掺杂Gd3+能够引入大量的受主能级实现对本征施主能级的补偿，从而提高器件 2 5 高阻值；XPS 数据结果表明三价态的钆离子的插入同时增加了Ta O 薄膜的氧空位浓度，因此，在电场的 2 5 作用下，增加的氧空位可以有效的局域与浓缩电场，减小形成电压，并且增加氧离子的迁移速率，加快转 换时间。同时，变温的结果进一步表明，Gd:Ta O RRAM 器件更有利于形成高氧空位密度的导电丝通道， 2 5 使低阻略微的减小。从而有效的提高器件的开关比率。 关键词：阻变式存储器；掺杂改性；Ta O ；开关比率。 2 5 G-06 基于LiFePO 材料的阻变式随机存储器件研究 4 刘俊, 徐海阳, 王中强, 张磊, 吴呈, 马剑钢, 刘益春 东北师范大学130024 目的：近