APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究-光子学报.PDF

31 7 光子学 报Vol.31 No.7 2002 7 ACTA PHOTONICA SINICA July 2002 APCVD 王剑屏　郝　跃　宋国乡　彭　军　朱作云　张永华 ( , 710071) 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜 常压化学汽相沉积(APCVD) 异质外延技术进行 了讨论. 在 薄膜 生长过程中对 / 原子比例 控制 一直是影响薄膜表面形貌和膜层 SiC Si C 掺杂浓度 重要因素. 针对水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温 度分布以及反应气体浓度分布, 指出 “汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/ C 比例有很大影响, 从 而影响了碳化硅薄膜 生长速率,非常好 解释了薄膜生长过程中出现 现象. 碳化硅; 常压化学汽相淀积; 异质外延 0 . , , C/ Si 1 4 . , CVD , , C/ Si , . . CVD . , , , 4 SiH Si , , , ; . , , 2 . , , APCVD( Atmospheric Pres- 3 . sure Chemical Vapor Deposition) , , / C Si , , . . APCVD , , ( PVT ) , (CVD) , , ( LPE) , (M E) . ; , CVD (SiH4) (C3H8) . CVD , . * 　国防科技预研基金资助项目 收稿日期: 2002-01-11 7 . APCVD 833 1 C 2 3 (0001) R ( 0112) (-Al O ) 2 , 1010mm , 1 . . 1 Fig Experiment setup of quartz reactor (MOVPE) , and gas flow velocity vectors 50150nm .SiC , 110 HF , 1min . SiC . ,