AlN-SiCw复合材料在1200～1400℃的氧化-武汉理工大学学报.PDF

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2017-06-24 发布于天津
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AlN-SiCw复合材料在1200～1400℃的氧化-武汉理工大学学报

19 4 武　汉　工　业　大　学　学　报 Vol. 19　No.4 1997 12 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 　Dec. 1997 - w AlN SiC 裴新美　武七德熊家国 ( ) ( ) :　研究了热压A lN-SiC 复合材料在 1200 ～1400 ℃的氧化行为, 分析了晶须掺量对复合材料氧化产物、氧 w 化过程的影。结果表明, 复合材料的氧化产物为Al O 、Mullite、铝硅酸盐玻璃相。在1200 ～1400 ℃范围内, 复合 2 3 材料的氧化符合抛物线规律。晶须掺量的变化对复合材料的氧化并无显著影。 :　AlN;　SiC;　晶须;　复合材料;　氧化 :　T 050.421 AlN [1] ; AlN SiC (SiCw ) [ 2] [ 3] , ,AlN SiC SiO , SiC 2 w , SiO , 2 AlN-SiC w 1 1. 1 AlN , 5 Lm;B-SiC AM I , 0.52. 0 Lm, w 50, , , 1850 , 20 M Pa , 1h N N SiC 20% 40%, 1 2 w Y O 2 3 1.2 , , XRD , SEM , EPM A ( ) Al Si 2 2. 1 [ 3] SiC -AlN , w : 12AlN+ 4SiC+ 15O = 2( 3Al O 2SiO ) + 4CO + 6N ( 1) 2 2 3 2 2 , 2 mol SiC 6 mol AlN 1mol ( A S ) w 3 2 N N , SiCAlN SiO 1 2 2 [ 4] Al O , Al O -SiO Al O -SiO 2 3 2 3 2 2 3 2