22011上学期第一次期中考解答-屏东高工教学部落格.DOCVIP

國立屏東高工 100學年度第1學期 電子電路期中考解析 命題 教師 范佐輝 班級 電子三甲 座號 姓名 ◎ 單選題，共33題，每題2.5分 某矽二極體在溫度20(C時之逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至50(C時，則逆向飽和電流變為 (A)150nA　 (B)100nA　 (C)4nA　 (D)40nA Ge鍺的逆向飽和電流，隨著溫度升高6(C時增加一倍Si矽的逆向飽和電流，隨著溫度升高10(C時增加一倍， 如圖所示 ，設D1、D2為理想二極體，試求 (A)1V　 (B)2V　 (C)3V　 (D)4V 利用重疊定理，看12V時先將2V短路，可得Vo如下　對D1作順偏，D2逆偏反之看2V時，將12V短路，可得Vo如下　對D1　作逆偏，D2順偏但3V 1V　故D1 ON，D2 OFF　得 如圖所示電路中 ，稽納二極體之，則VL為 (A)6.7V　 (B)5V　 (C)4.3V　 (D)5.7V 如圖所示電路 ，假設稽納（Zener）二極體之，，，試求稽納二極體能適當工作在崩潰區之最小負載電阻值RL約為何？ (A)1.2k(　 (B)0.8k(　 (C)2.5k(　 (D)0.5k( 請使用二極體近似模型計算如圖之電路 ，假設二極體D1與D2之切入電壓、順向電阻Ω、及逆向電阻，電路中之Ω及Ω，當，請問  (A)0.15V　 (B)1.8V　 (C)0.1V　 (D)1.2V 將圖化成利用節點電壓法可求出Vo：，， 一純矽半導體，本質濃度，原子密度為，若於每109個矽原子摻入1個施體（Donor）雜質，則其電洞濃度為多少？ (A)　 (B)　 (C)　 (D) 電子濃度施體濃度， 元件D為理想二極體，輸入電壓及電路如圖所示 ，則輸出波形Vo為： (A)　 (B)　 (C)　 (D) Va電壓：得(1)Va正半週時D ON；(2)Va負半週時D OFF； 如圖 所示為一截波電路Vi與Vo之關係曲線為： (A)　 (B)　 (C)　 (D) (1)Vi正半週時D ON，(2)Vi負半週時|Vi| |VR|時D ON；|Vi| |VR|時D OFF； 求如圖 所示箝位器之輸出波形，令輸入Vi如上圖之左圖（忽略電容充放電，假設二極體D為理想二極體） (A)　 (B)　 (C)　 (D) (1)Vi負半週時：D ON，Vc充電至(2)Vi正半週時；D OFF， 一直流電源電壓為30V，內阻2(，滿載所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為 (A)20%　 (B)15%　 (C)10%　 (D)5% 如圖所示 ，則Vo約為： (A)10V　 (B)20V　 (C)30V　 (D)V ；； 如圖 所示之中間抽頭式變壓器電路中，，，且D1、D2皆為理想二極體，則Vo之平均直流電壓為： (A)–6.37V　 (B)–3.18V　 (C)3.18V　 (D)6.37V 故知 考慮如圖 所示電晶體電路，設電晶體的參數如下：，，，β，則此電路在直流工作點的集極電流為 (A)25mA　 (B)20mA　 (C)15mA　 (D)10mA 此為PNP電晶體故VBE應為–0.7V；題目有誤…輸入迴路方程式 如圖所示 ，若電晶體的值為50，則RB電阻應選用多少，才能使電晶體工作於飽和區？ (A)100k(　 (B)80k(　 (C)60k(　 (D)40k( 故選40k( 有一線路圖如右圖所示 ，下列敘述何者錯誤？ (A)R1斷路時，VB接近0　 (B)R1斷路時，VC接近VCC　 (C)R4斷路時，VC接近0V　 (D)R1斷路時，VE接近0V R4斷路時，電晶體截止，故 如圖所示，若β，則直流偏壓電壓VCE約為： (A)5伏特　 (B)6伏特　 (C)7伏特　 (D)8伏特 如圖所示電路中 ，其中伏特，，，，β，若伏特，則集極電流約為多少毫安？ (A)1　 (B)5　 (C)10　 (D)15 如圖 及圖 ，RB應為多少才能滿足Q點之條件？ (A)430k(　 (B)43k(　 (C)500k(　 (D)50k( ；；； 使用指針式三用電表，轉到低電阻檔（如(100(），將紅棒接觸電晶體任意一腳，再以黑棒接觸其它兩腳，此時電表指針都會產生很大的偏移，則此腳為 (A)E端　 (B)B端　 (C)C端　 (D)條件不足，無法判別 三用電表撥至(檔，則紅棒接內部電池的負極，黑棒接電池正極，故當三用電表指針偏轉至零點表示順偏短路，1為基極且為2、3為P型（集極與射極） 同上題，此電晶體為何種型態？ (A)NPN　 (B)PNP　 (C)條件不足，無法判別　 (D)以上皆非 如圖所示電路 ，伏特，，，，則電壓約為多少伏特？ (A)4.