14章二极管和晶体管(1,2讲).pptVIP

《电子技术》 绪 论 4. 教学安排和要求 1. 什么是电子技术? 4、教学安排和要求 上课时间：1－11周 基本要求 1、认真听课积极参与课堂讨论。 2、按时交作业。 3、注意学习方法。 （预习）——认真听课——独立作业——实验 4、重视实验。 5、及时答疑。 时间： 希 望 师生互动，营造一个轻松愉快的学习氛围。 通 知 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及其单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 晶体管放大的外部条件 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 晶体管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 参考课件 1、中国矿业大学电工学多媒体课件 2、清华大学电子技术多媒体课件 3、西安交通大学电工电子多媒体课件 本章结束！ 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析晶体管的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 共发射极电路 IC EC=UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性曲线是一组曲线。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分 为三个工作区。 (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 发射结正偏，集电结反偏 对 NPN 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB ＝ 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 发射结反偏，集电结反偏 截止区 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 对NPN型硅管，当 UBE0.5V时, 即已 开始截止, 为使晶体 管可靠截止 , 常使 UBE? 0。截止时, 集 电结也处于反向偏 置(UBC 0),此时, IC? 0, UCE? UCC 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 饱和区 （3）饱和区 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)， 晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC， 发射结正偏，集电结正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 UCE≈0 ，IC ? UCC/RC 。 当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时