化学增感中心促进卤化银潜影形成的理论解释-河北科技大学学报.PDF

26 2 V ol . 26, No . 2 2005 6 J ournal o f Hebei U niv ersity of Science and T echnolog y J une 2005 1008- 1542( 2005) 02-0 100- 03 李新政, 谢英明, 阎晨光, 马银峰 ( 河北科技大学理学院, 河北石家庄 050054) 针对化学增感中心的特点, 采用经典近似, 从理论角度 析了硫加金化学增感中心的存在 有利于卤化银感光材料潜影的形成, 并借助于理想模型, 通过简化因子计算了硫加金增感中心的有 效电荷数z ( 0. 42) 光电子在增感中心上的停留时间S( 1. 4 n s) 及捕获中心的半径R ( 0. 59 nm ) 和 截面积S ( 1. 1@ 10- 14 cm2 ) 等相关参数 增感中心; 电子陷阱; 电荷; 捕获截面 O434 A T heory of chemical sen sit ization cent er acceler at ing latent im ag e form ation in silver h alide em ulsion L I X in- zheng, XIE Y ing- ming, YA N Chen- g u ang, M A Y in-f eng ( Co llege of Sciences, Hebei U niv ersity of Science and T echnolog y, Shijiazhuang Hebei 050054 , China ) Abstract : It w as analy zed , o n the b asis o f chem ical sensit izat ion center pro pert y by classical appro xim ation , the sulfur- plu s- go ld sen sitizatio n center f av our to the latent- im ag e f or m atio n during t he exposure of sen sitized pho tog raphic m ater ial . T he r elated par am eters of sulfur- plus- g old sen sitizatio n cent er, su ch as eff ectiv e ch arg e, the residence t im e of phot o- electr on t rapped by chem ical sen sitizatio n center, tapping radiu s and trapp ing cro ss- sectio n w ere calculat ed b ased on som e emp irical ex pr essio n. Key words: sen sitizatio n center; electro n t rap ; ch arg e; tr app ing cr oss section , [ 1~ 3] , , , , , 1 [ 4] T A IN ( 1) , 1 2 , , , 2 , 2004- 11- 19; 2005- 0 1- 15; ( 1976- ) , , , , 2