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聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长
2010 年 第 55 卷 第 16 期： 1632 ~ 1637 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 聚焦电子束诱导SiO 纳米线表面碳沉积的分形生长 x ①② ②③④⑤* ② ②④ ③ 苏江滨 , 朱贤方 , 李论雄 , 王连洲 , 王占国 ① 江苏工业学院数理学院, 常州 213164; ② 厦门大学物理系, 厦门大学中国-澳大利亚功能纳米材料联合实验室, 厦门 361005; ③ 中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体材料科学重点实验室, 北京 100083; ④ ARC Centre of Excellence for Functional Nanomaterials, University of Queensland, St Lucia, Brisbane, Queensland 4072, Australia ; ⑤ 中国科学院固体物理研究所，合肥 230031 * 联系人, E-mail: zhux@ 2010-01-21 收稿, 2010-03-25 接受 国家科技计划国际科技合作与交流专项(2008DFA51230)、国家重点基础研究发展计划(2007CB936603)、国家自然科学基金 、中澳科技合作特别基金和教育部科技研究重点项目(105099)资助 摘要 电子束诱导沉积技术已被证实可以实现各种材料的分形生长, 但是目前尚未发 关键词 现聚焦电子束辐照下低维纳米结构表面未受辐照位置的分形生长现象, 造成了聚焦电 透射电子显微镜 子束诱导分形生长机理研究的空白与片面性. 以透射电子显微镜中残留的有机气体分 聚焦电子束诱导沉积 子为前驱体, 室温下利用高能聚焦电子束辐照, 研究了一维非晶 SiOx 纳米线表面未受 SiOx 纳米线 非晶碳 辐照位置碳沉积的分形生长. 利用高分辨透射电子显微镜对 SiOx 纳米线表面非晶碳的 分形生长 沉积过程进行原位观察, 发现了 SiOx 纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及 分形生长, 并捕捉到了碳沉积分形生长过程的细节. 同时对聚焦电子束诱导 SiOx 纳米 线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长机理进行了深入的探索. 近 20 年来, 电子束诱导沉积(EBID)技术已经逐 生长了非晶碳纳米树 [9]; Song 等 [10]在室温及电镜真 渐发展成为制备纳米线、纳米点等纳米结构 [1~3], 以 空度为 2×10−5 Pa 的条件下利用能量为200 keV 的电子 及对纳米结构进行表面修饰[4] 的一种重要手段. 此外 , 束(电流密度: 0.75~17.9 A/cm2)辐照 W(CO)6 粉末前驱 前人研究结果表明 , 在合适的辐照和沉积条件下电 体制备了钨纳米线、钨纳米
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