发光二极体之制程技术.PDFVIP

發光二極體之製程技術 HIGH POWER OPTO. INC. Outline 金屬化製程 微影製程 化學氣相沉積製程 蝕刻製程 研磨製程 切割製程 金屬化製程 熱阻式蒸鍍技術(thermal) 電子槍蒸鍍技術(E-Gun) 電漿濺鍍技術(sputter) 熱阻式蒸鍍技術(thermal) 適合低溶點的金屬，如鋁 (Al) 、金(Au) 、鎳(Ni)等 系統圖如右所示。 製程說明: 在製程期間，系 統被抽真空到約 10-6 Torr 遮板 的高真空下，然後將大電 流流過盛滿金屬的鎢舟或 陶瓷坩鍋，因電流很大， 所以溫度很高，使得鎢舟 或陶瓷坩鍋內金屬被加熱 而蒸發，使金屬蒸鍍在晶 圓上。 電子槍蒸鍍技術(E-Gun) 最普遍採用的蒸鍍技術 系統圖如右所示。 製程說明: 在製程期間， 系統被抽真空到約 10-6 遮板 Torr 的高真空下，然後將 電子束加速引導去撞擊坩 鍋內的金屬，在坩鍋內的 金屬因電子束的撞擊被加 熱而蒸發，使金屬蒸鍍在 晶圓上。 Ti Pt Au 電漿濺鍍技術 電漿(plasma)原理 具有等量正電荷和負電荷之離化氣體稱為電漿。 電漿係由中性原子與分子正電荷(離子)和負電荷(離子)所構成。 電漿中電子濃度約等於離子濃度即ne=nion 。 電子濃度和總濃度的比率定義為離化率 Rl ， Rl=ne/(ne+nnen) nnen為中性濃度 離化率主要由電子能量決定，但是也跟氣體總類有關， 因為不同氣體需要不同的離化能量。 電漿濺鍍技術 電漿的產生 電漿濺鍍技術 濺鍍過程 微影製程 微影製程 微影製程 光阻 厚度 轉速 微影製程 微影製程 化學氣相沉積製程 化學氣相沉積製程 蝕刻製程 蝕刻製程 蝕刻製程 蝕刻製程 研磨製程 研磨製程 切割製程 目的: 將晶片切割成晶粒 有三種切割方式: 輪刀式- 將鑲鑚石粉之輪刀以高速旋轉切入晶圓，將晶片分 割成晶粒。 鑚石式- 尖端鑲特殊形狀的鑚石工具，利用鑚石的稜線切過 晶圓的正面，然後再另一面施以適當壓力，來將晶片分割成晶 粒。 雷射式- 使用可以讓待切材料吸收之波長的聚焦雷射光束， 雷射光束會在晶圓表面燒出小洞，移動雷射光束或晶圓就可將 洞連成線，再另一面施以適當壓力，來將晶片分割成晶粒。 三種晶片切割方式比較 圖示 說明/優點 缺點