以阳极铝氧化法形成奈米孔阵列Nano-pore Arrays ... - 先进工程学刊.PDFVIP

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2017-06-21 发布于天津
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以阳极铝氧化法形成奈米孔阵列Nano-pore Arrays ... - 先进工程学刊

先進工程學刊第四卷第一期 71 Journal of Advanced Engineering Vol. 4, No. 1, pp. 71-75 / January 2009 以陽極鋁氧化法形成奈米孔陣列 Nano-pore Arrays Fabricated by Anodic Aluminum Oxidation *1 2 1 1 2 林堅楊連培榮楊庭毓洪偉欽鄧育庭 *1 2 1 1 2 Jian-Yang Lin , Pei-Jung Lien , Ting-Yu Yang , Wei-Chin Hung , Yu-Ting Deng 摘要本研究探討了具奈米級孔洞陣列之陽極氧化鋁 (AAO) 基板之製作。實驗上運用高純度鋁箔與蒸鍍在矽晶圓上之鋁薄膜兩種基板來製作奈米級多孔性之陽極氧化鋁基板，並經由製程條件之控制，以獲得均勻性佳且具排列性之孔洞。於場發射掃描式電子顯微鏡分析下，發現在較低溫 (5℃) 下，以二次陽極氧化過程所製作之AAO孔洞，會有較好之均勻性與排列性；至於AAO孔洞之直徑介於48 nm 至122 nm之間，並可藉由陽極氧化電壓及氧化時間來控制之。關鍵詞：奈米級孔洞陣列，陽極氧化鋁，場發射掃描式電子顯微鏡 Abstract In this work, the preparation of the nanopore arrays of anodic aluminum oxide (AAO) substrates has been investigated. AAO nanopore arrays with good uniformity were obtained by using the two-step anodization process at 5℃ as observed with Field-Emission Scanning Electron Microscope (FESEM). Also, the diameter of the AAO nanopores can be controlled by the anodization voltage and time. The pore size of the AAO nano-pores is within 48 nm to 122 nm. Keywords : Nanopore arrays, anodic aluminum oxide (AAO), FESEM I. 導論障層界面處逐漸形成凹槽。至於孔洞底部水溶液氧化/ 鋁膜界面處具有較高電場，促使該處之氧化鋁膜迅速被陽極氧化鋁目前被廣泛應用在如合成奈米管、奈米溶解；同時，底部之氧化鋁膜也穩定地成長，最終氧化線等領域 [1-4] ，其應