RTA(快速高温炉)操作程序.PDFVIP

快速高溫退火爐(RTA)操作程序 100.3.18修訂 注意:在最高溫度1200℃持溫不要超過3分鐘，1000℃持溫不要超過20分鐘， 需長時間高溫者請用傳統高溫爐，以免熱電偶及燈管老化。 不要將sample與thermal couple接觸，以免sample與thermal couple 熔在一起。 1、在使用登記表登錄開機時間及使用的最高溫度和最高溫度持續時間。 2、將SEM主機台左方冷卻水機開關ON(請檢查冷卻水管閥門是否開啟)。 3、鬆開Chamber螺絲，打開Chamber門向外拉出樣品載台，放入樣品後並鎖好 螺絲。 4、檢查Pump抽氣閥門及Pump洩氣閥門、Chamber進氣閥門及Chamber洩氣閥門是 否關閉(Chamber已加裝單向活門，只要Chamber洩氣閥門關閉，氣體只出不 進，抽真空不成問題，Chamber要通氣體也不成問題)，開啟Pump電源，再打 開抽氣閥門，對Chamber抽真空(若毋須抽真空則直接跳過此步驟)，時間長短 依個人需求決定(抽五分鐘約可達2×10 -2Torr)。 5、關閉抽氣閥門，再關閉Pump電源，立刻鬆開Pump管路洩氣閥，以免Pump 油回流，待管路回復一大氣壓後即旋緊管路洩氣閥。 6、開啟RTA電源，按PF2可選擇儲存在記憶體(12~16)已設定好常用溫度時間參 數的PROGRAM（見附表），再按下PF1鍵開始執行。 7、若之前有自己設定好且尚未被其他USER更改內容的PROGRAM，可按PF2選擇 某一組PROGRAM，再按下PF1鍵二至三秒，開始執行。 8、若須自行設定PROGRAM內容，請按下○鍵(左邊第三顆為level鍵)，直到最 上面紅色字出現PrGn畫面，即為“PROGRAM＂的意思，按下“︽＂、“︾＂ 可調整為第幾組記憶位置，等一秒鐘後最下方顯示的橙色字為設定的記憶位 置(請選用第1至11 組記憶位置)。 9、按下◎鍵(左邊第四顆鍵，為Mode鍵)，最上面紅色字出現S-no(表Segment no.)畫面，用“︽＂、“︾＂設定總共要設幾段升降溫(包含升溫、持溫、降 溫，共可設16段)。 10、按下◎鍵，最上面紅色字出現SEG.n End(表Segment)畫面，按下“︽＂， End會變成1(表開始設定第一段的內容)。 11、按下◎鍵，最上面紅色字出現SP (表設定溫度)畫面，按下“︽＂、“︾＂ 設定溫度。 12、按下◎鍵二次，最上面紅色字出現 ELnE (表設定過程時間)畫面，用“︽＂、 “︾＂設定時間(0.10表10sec，當設定的時間短於系統最快的升降溫時間， 則會以系統最快的升降溫時間為實際作用的時間)。 13、再按下◎鍵四次(其間的參數不要去更改)，最上面紅色字出現SEG.n N(N=2,3…表開始設定第二,三,…段的內容)，重覆第11至13步驟，設定所 需的參數，當設定完所有的Segment內容後，會出現SEG.n End。再按○鍵 四次顯示程序(溫度)進行狀態，若出現的非剛才設的PROGRAM，再運用PF2 鍵選擇剛才設的PROGRAM。 14、若須通氧氣或氮氣請先執行第5步驟，再將Regulator逆時針旋轉以關閉氣 體，開啟Chamber進氣閥門，將流率錶下方的旋鈕轉開半圈，打開氣體鋼瓶 開關，注視RTA流率錶，再慢慢順時針旋轉Regulator使壓力為 5 至 10psi， 送出氣體，再調節流率錶下方的旋鈕至所需流率(流率不要超過500cc/min)。 15、再按PF1鍵二至三秒，就會開始執行，在執行過程中按PF1鍵或RESET鍵會 中止執行。 16、完成加熱持溫後開始降溫當Chamber溫度低於200℃ ，再依樣品的特性決定 打開Chamber取出樣品的時機(溫度)，若Chamber是真空狀態(若Chamber 是通氣狀態，則從下行*開始執行)，則打開Chamber洩氣閥門，待Chamber 回復一大氣壓後，打開Chamber取出樣品，隨即關閉洩氣閥門，*關閉氮氣鋼 瓶開關、Regulator、流率錶下方的旋鈕閥門及Chamber進氣閥門;旋開 Chamber螺絲，向外拉出樣品載台，取出樣品後推回載台，關閉Chamber並 鎖好螺絲，須等爐內溫度降至100 ℃以內方可關閉冷卻水機電源，再關閉RTA 電源。 17、在使用