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诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《 半导体物理学 》试卷B 注意事项：1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 3．考试形式：闭卷； 4. 本试卷共六大题，满分100分， 考试时间120分钟。 题 号 一 二 三 四 五 六 总分 得 分 评卷人 一、选择填空(20分，每题2分) 1．电子在晶体中的共有化运动指的是 。 A．电子在晶体中各点出现的几率相同 B．电子在晶体元胞中各点出现的几率相同 C．电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 D．电子在晶体各元胞对应点有相同位相 2． 本征半导体是指 的半导体。 A．不含杂质与缺陷 B．电子密度与空穴密度相等 C．电阻率最高 D．电子密度与本征载流子密度相等 3． 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定 。 A．不含施主杂质 B．不含受主杂质 C．不含任何杂质 D．处于绝对零度 4． 砷化镓的导带极值位于布里渊区 。 中心 B．111方向近边界处 C．100方向近边界处 D．110方向近边界处 5． 重空穴指的是 。 A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D．自旋--轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 6． 在进入太空的空间实验室中生长的砷化镓通常具有很高的载流子迁移率，这是因为 的缘故。 无杂质污染 B．受较强宇宙射线照射 C．晶体生长完整性好 D．化学配比合理 7． 公式μ＝qτ/ m* 中的τ是载流子的 。 A．渡越时间 B．寿命 C．平均自由时间 D．扩散系数 8． 半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的 。 复合机构 B． 散射机构 C． 能带机构 D． 晶体结构 9. 在光电转换过程中，硅（Si） 1、由三种元素的原子组成的二维晶体，如图所示。 画出布拉菲格子。 （2）画出两种不同形式的原胞，并指出每个原胞中含的原子数。 2、画出半导体Si的晶体结构示意图，并简述其能带结构的特点。 四、计算题（15分） 由金属-SiO2-P型硅组成得MOS结构，当外加电压使半导体表面少数载流子浓度nS与内部多数载流子浓度pp0相等时作为临界强反型条件。 （1）试证明临界强反型时，半导体表面势 ， 其中 （2）画出临界强反型时半导体的能带图，标明相关符号，并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开，用文字指明。 五、计算题（15分） 光照如图所示n型半导体样品，假设光被均匀吸收，电子-空穴对的产生率为G（小注入），试在下列两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布。 （1）不考虑表面复合； （2）在x = 0的表面的表面复合速度为S。 六、计算题（20分） （1） 试说明在室温下，某半导体的电子浓度，时，其电导率σ为最小值。式中是本征载流子浓度，、分别为电子和空穴的迁移率。试求上述条件时的空穴浓度。 （2） 当，，时，试求锗的本征电导率和最小电导率。 《 半导体物理 》试卷第 1 页 共 8 页 _____________ ________ … 姓名 学号 学院 专业 座位号 ( 密 封 线 内 不 答 题 ) ……………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………线………………………………………