专题周记系统- 逢甲大学.PDF

逢 甲 大 學 電 子 工程 學 系 具有二氧化鈦表面鈍化層之氮化鎵氮化鋁鎵異質/ 結構場效電晶體 TiO -Passivated AlGaN/GaN Heterostructure 2 Field-Effect Transistors 指導教授：李景松 教授 研 究 生：萬芝吟 曾懷寬 沈詩媛 鐘煜梅 陳哲平 1 FCU e-Theses Dissertations (2014) 摘要 本專題研究是利用超音波噴霧熱分解沉積技術研製具有氮化鋁鎵氮/ 化鎵之異質結構場效電晶體。為了解決元件因尺寸收縮造成較高的表面 漏電流及閘極漏電流的問題，我們使用高介電材料如二氧化鈦作為表面 鈍化層，將它們與傳統的異質結構場效電晶體(HFETs) 比較。 經由實驗製成較優化的表面鈍化的氮化鋁鎵氮化鎵異質結構場效電/ 晶體 (HFETs) ，研究出 元件直流特性分別為:閘極漏電流 Ig (2.77×10-1 mA/mm 、2.71 × 10-3 mA/mm) 、最大飽和電流密度IDS,max (511 mA/mm 、 571 mA/mm) 、閘極偏壓飽和電流密度IDSS0 (342 mA/mm 、377 mA/mm) 、 最大外質轉導 gm,max (110 mS/mm 、125 mS/mm) 、集極-源極兩端崩潰電 壓 BVDS,off (94 V 、131 V ) 、閘極-集極兩端的崩潰電壓BVGD (-104 V 、 -130 V) ，由實驗結果顯示，本專題研究所製成具有高介電常數二氧化鈦 表面鈍化層之氮化鋁鎵氮化鎵異質結構場效電晶體，成功改善元件整體/ 直流特性。 關鍵字：超音波噴霧熱分解、二氧化鈦、鈍化層 2 FCU e-Theses Dissertations (2014) Abstract In this individual work, the surface passivated of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) were studied by using ultrasonic spray pyrolysis deposition technique are presented. In order to solve the issue of higher gate leakage current and surface leakage current in scaled devices, we use high dielectric materials such as titanium dioxide as a surface passivated and compare them with conventional HFETs structure. The optimizations of the experimental conditions of surface passivated layer structure