MOCVD 法横向外延过生长GaN 薄膜 - 深圳大学.PDFVIP

第28 卷 第2 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.28 No.2 2009 年 2 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Feb. 2009 综 述 MOCVD 法横向外延过生长 GaN 薄膜 彭冬生，冯玉春，牛憨笨 （ 深圳大学 光电工程学院，广东 深圳 518060 ） 摘要: 介绍了金属有机化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD ）法横向外延过生长 GaN 薄膜的原理，阐述了该技术形成选择生长和减少 GaN 薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最 新进展。新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜。 关键词: 无机非金属材料；MOCVD；综述；横向外延过生长；GaN；薄膜 中图分类号: TN304.054 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2009 ）02-0066-04 Lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVD PENG Dongsheng, FENG Yuchun, NIU Hanben ( College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, Guangdong Province, China ) Abstract: The principle of lateral epitaxial overgrowth GaN thin film with MOCVD was introduced. The reasons of selective growth formation and dislocation density degradation in GaN thin film were explored in principle. The developing course and current states of the technique were reviewed. The epitaxy growth process was simplified greatly and the crystallographic tilt was degraded in the newly lateral epitaxial overgrowth techniques. Key words: non-metallic inorganic material; MOCVD; review; lateral epitaxial overgrowth; GaN; thin film GaN 基半导体材料的生长方法有很多种，主要有： 蒸气压的源材料。 [1, 2] 尽管 GaN 基 III 族氮化物有很长的发展历史，但 分子束外延（MBE, Molecular Beam Epitaxy ） 、氢 [3, 4] 由于GaN 体单晶制备困难，外延 GaN 都是在异质衬 化物外延（HVPE, Hydride Vapor-Phase Epitaxy ） 、 [5, 6] 底上进行。由于异质衬底和 GaN 外延层有很大的晶 原子层外延（ALE, Atomic Layer Epitaxy ） 以及 MOCVD 等。其中 HVPE 具有生长速率高等特点， 格失配，热膨胀系数也有较大差异，在外延生长时 主要用