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显影后水洗 由于显影液为碱性液体，本质上就是不易水洗干净，而且当显像液溶入油墨后，任何残留在铜面上的显像液都会形成残渣(Scum)，造成蚀刻残铜、短路。为确保水洗干净应维持下列原则： ①需有三道以上循环水洗槽。 ②每個水洗槽至少有两根水洗管道，并以扇型喷嘴前后与上下交叉佈置。 ③喷洗角度应互相重疊，且经常保持通畅。 ④压力保持在20～30psi。 ⑤水洗槽全部長度应为显影槽的3/4以上，须注意槽液負荷应与水洗时间成正比。 显影机的保养 由于油墨在显影机被显影液(Na2CO3)除去后，会形成残渣留在溶液中，造成残渣堵喷嘴及反沾的问題发生。为了杜绝上述问題的发生，我们必须对显影槽內部及水洗段进行大保养。以下就大保养程序做一介紹： 显影槽保养 ①首先于建浴槽內加满水，再添加两包片碱并均勻搅拌之，隨后将药液引入显影槽內。若显影槽有两槽，则需重复上一动作。之后令其运转120分钟。 ②将上述药液排出，并于两槽显影槽內各加入适量清水，令其运转中60分钟。 ③清水洗完后，将其排出，并于建浴槽內加满水，再添加两桶纯硫酸并均勻搅拌之，隨后将药液引入显影槽內。若显影槽有两个槽，则需重复上一动作。之后令其运转120分钟。 ④将上述药液排出，并于两槽显影槽內各加入适量清水，令其运转中60分钟。 ⑤于建浴槽內加满水，再添加1%纯碱并均勻搅拌之，隨后将药液引入显影槽內。若显影槽有两槽，则需重复上一动作。之后令其运转60分钟。 ⑥上述动作都完成后，就得以人工方式使用清洁粉清洗显影槽、显影喷管喷嘴、挡（切）水滾轮及吸水海绵。 水洗段保养 (1)先于水洗槽內加满水，然后于各水洗槽內添加1～3%纯硫酸，并令其运转60分钟。 (2)将水排出，以人工方式使用清洁粉清洗之。 显影重点 1.显影均勻性及显影点测试 2.显影新液添加量及pH值量测 3.消泡剂添加方式 显影品质控制 控制项目 失控产生的不良 改善对策 显影速度过快或过慢 过快：显影不洁、残铜 过慢：显影过度、缺口 依油墨厂商建议之显 影速度，经实验后制定。 显影温度过高或过低 过高：显影过度、缺口 过低：显影不洁、残铜 依油墨厂商建议之显 影温度，经实验后制定。 显影压力不足或过大 不足：显影不洁。 过大：显影过度造成侧蚀。 依油墨厂商建议之显 影压力，经实验后制定。 一般为1.5±0.5kg/cm2。 水洗压力不足 不足：已显影完的油墨 无法完全被水洗干净，而造成残渣。 建议水洗压力值为 1.5±0.5kg/cm2。 蚀 刻 工 序 蚀刻液:CuCl2溶液,开始时加入CuCl2和HCL反应:Cu+CuCl2→2CuCl 再生:2CuCl+H2O2→2CuCl2+2H2O 4CuCl+4HCl+O2→4CuCl2+2H2O 反应环境：HCl酸质控制 2～3N 蚀刻因数 Etching Factor（蚀刻因数）=t/X X=（梯形的下边-上边）/2 可接受：2～2.5 X t 蚀刻进行方式 第一阶段 第二阶段 第三阶段 基材 铜泊 油墨 蚀刻速度与蚀刻因素 underetch perfect speed overetch a b Etch factor = a / b 基材 铜泊 油墨 蚀刻浓度与时间 蚀刻液浓度和蚀刻时间关系 蚀刻时间 浓度 Cu2+在一定范围內的增加对蚀刻有促进作用,但超出范围后会有一些设岸效应等不利影响,从而产生复杂情況. 蚀刻建议参数 1)氧化还原电位（ORP）：500～580mV 2)Cu含量:21～25oz/gal（157～186g/l） 3)温度：52～54℃ 4)比重：1.24～1.28 槽液维护 酸性氯化铜蚀刻液的槽液维护主要包括：比重（S.G），双氧水浓度（ORP氧化还原电位），及盐酸（HCl）浓度，氯离子（Cl-）浓度、温度、喷压，抽风等。根据生产实践经验，比重（CuCl2含量）、盐酸浓度、双氧水浓度（ORP氧化还原电位值）、喷压、对于蚀刻因数有最显著的影响。 一般要有良好的蚀刻因数，又不影响蚀刻速度的设定如下： 比重（Cu2+）的控制 当比重升至1.32时，蚀刻因数(Etching facter)有显著改善，但比重高于1.32之蚀刻速度将会下降25%，所以在不降低蚀刻速度的前提下，比重控制在1.28～1.32（铜离子浓度120～175g/L），最佳设定值1.30。 过高的双氧水浓度会产生氯气，另外隨双氧水浓度升高，蚀刻因数、速度会有所下降。ORP氧化还原电位元控制范围：500~580mv，最佳设定值520mv。 双氧水浓度（ORP氧化还原电位） 喷 压 盐酸的当量浓度一般控制在2.1-3.5N，盐酸浓度低, 会造成蚀刻速度降低;但盐酸含量过高,雖可加快蚀刻速度,但蚀刻因数明显下降,同时过高的盐酸浓度会加剧设备的腐蚀,