单片机原理及应用PPT--第二章.ppt

三、MCS-51的存储器组织 六、节电运行方式 B F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F0H ACC E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E0H PSW D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D0H P0 80 81 82 83 84 85 86 87 80H TCON 88 89 8A 8B 9C 8D 8E 8F 88H P1 90 91 92 93 94 95 96 97 90H SCON 98 99 9A 9B 9C 9D 9E 9F 98H P2 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A0H IE A8 A9 AA AB AC AD AE AF A8H P3 B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0H IP B8 B9 BA BB BC BD - - B8H T2CON C8 C9 CA CB CC CD CE CF C8H 内部SFR的 可位寻址单元 及位地址 00H 内部RAM （128B） 7FH 80H SFR FFH 8031/ 8051/ 8751 00H 内部RAM（低128B） 7FH 80H SFR 内部RAM（高128B） FFH 8032/ 8052 ※ 内部RAM的高128B地址与SFR 的地址是相同的， 通过不同寻址方式来区别。 ⑶ 片外RAM地址空间 ? 64KB ? ? ? FFFFH 00000H 外部RAM (64KB) 00H 内部RAM (低128B) 7FH 80H SFR 内 部RAM (高128B) FFH 8032/ 8052 外部 RAM (64KB) 0000H FFFFH 00H 内部RAM (128B) 7FH 80H SFR FFH 8031/ 8051/ 8751 外部 RAM (64KB) FFFFH 0000H 2、寄存器（B） 用于乘、除指令中；也可用作一般寄存器 四、专用寄存器 1、累加器（A） 运算时的暂存寄存器，用来提供操作数和存放运算 结果。（大部分指令均用到累加器） 3、程序状态字（PSW) (Program Status Word) 寄存当前指令执行后的状态。 P PSW: - F0 RS1 RS0 AC CY 字节地址D0H OV CY：进位标志位。运算操作中最高位产生的进位或 借位，常用“C”表示 AC：辅助进位位，D3位向D4位产生的进位或借位 F0：用户标志位，用户可通过软件定义 OV：溢出标志位，用于带符号数运算的溢出。即运 算后的数据超出一个8位带符号数的范围： - 128 ~ +127 OV=C’7? C’6 0101，0111 （+87） +) 0111，1001 （+121） = 1101，0000 （-48） C=0 OV=1 即：当运算数的D7或D6位中只有一个产生进位（或 借位）时，OV=1 例如： 例如：键盘接口如下图所示 当判有无按键时，列线送出“0”，读取行线。 VCC VCC P0.1 P0.4 P0.5 P0.0 0 0 8051 若该行无键按下，读回 若该行有键按下，读回 高电平 “1”； 低电平 “0” VCC VCC 0 0 若作为输入前，已输出“0” ： 能否进行有无按键的正确判断 ？ ④ 2个三态缓冲器的作用 针对“读-修改-写”指令，P0~P3口结构采用2个三态 缓冲器。指令形式如： ANL P0，A ORL P1，#30H ☉ 作为地址/数据复用，真正的双向I/O口 输入数据D7?D0 输出低8位地址A7?A0或数据D7?D0 ☉ 作为一般I/O口用， 准双向I/O口 （即作为输入前，应先向口输出“1”） P0口小结： ☉ 复位后，P0口锁存器均置为“1”，可直接作为输入 用。 (B) P1口：8位准双向并行I/O口，可驱动4个TTL负载 （具有内部上拉电阻） （对于8052，其P1.0和P1.1具有第二功能; P1.0可作定时/计数器2的外部计数触发输入端T2; P1.1可作定时/计数器2的外部计数控制输入端T2EX ） 写锁存器 P1.X 锁存器 D CL Q 内部总线 读锁存器 读引脚 P1.X 引脚 Vcc R (内部上拉电阻) Q (C) P2口： 8位准双向并行I/O口 ? 访问外存储器时，作为地址总线的高8位（A15 ~A8） ? 不访问外存储器时，作为一般准双向I/O口，可驱动 4个TTL负载。 P2.X 锁存器 D CL Q 内部总线 P2.X 引脚 地址 Vcc 控制 MU