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开关电源的开关电源的EMI 处理经验对策小结处理经验对策小结 开关电源的开关电源的 处理经验对策小结处理经验对策小结 开关电源EMI 整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法： 1MHZ 以内 以差模干扰为主 1.增大X 电容量； 2.添加差模电感； 3.小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可 选用较大些) 。 1MHZ5MHZ差模共模混合， 采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰 超标并以解决， 1.对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感 量; 2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制； 3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普 通整流二极管1N4007。 5M 以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上 干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。 对于20--30MHZ ， 1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置； 2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值； 3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕 组的排布。 4.改变PCB LAYOUT ； 5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感； 6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数； 7.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE ； 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。 9. 可以用增大MOS 驱动电阻. 3050MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起， 1.可以用增大MOS 驱动电阻； 2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管； 3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决； 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感； 5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路； 6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE ； 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容； 8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可 能的小； 9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起， 1.可以在整流管上串磁珠； 2.调整输出整流管的吸收电路参数； 3.可改变一二次侧跨接Y 电容支路的阻抗,如PIN 脚处加BEAD CORE 或串接适当的电阻； 4.也可改变MOSFET ，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹 卡MOSFET; 铁夹卡DIODE ，改变散热器的接地点）。 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射. 200MHZ 以上 开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。 补充说明: 开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的, 以上未加缀述. 开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对EMI.,请密切注意此点. 开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意 此点. 主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对 EMC 有一 定的影响.请密切注意此点. 柏自飞 2008-01-21 整理