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NAND flash读写擦除操作 本文主要介绍SAMSUNG公司的S3C2410处理器和K9F1208NANDflash的 读写擦除操作。 一、K9F1208NANDflash芯片介绍 S3C2410 8 NANDflash NANDflashK9F1208 处理器集成了 位 控制器。因 、 K9F1G08 512B 2KB 的数据页大小分别为 、 ，在寻址方式上有一定的差异，所以 程序代码并不通用。 K9F1208 64M 2048K spare 8 I/O 的器件存储容量为 字节和 字节的 存储区，位 端口采用地址、数据和命令复用的方法。 该器件的引脚图如下所示 该器件的引脚功能描述如下表所示 引脚名称 英文描述 描述 I/O0～I/O Datainput/outputs 数据输入输出 CLE Commandlatchenable 命令锁存使能 ALE Addresslatchenable 地址锁存使能 CE# Chipenable 片选 RE# Readenable 读使能 WE# Writeenable 写使能 WP# Writeprotect 写保护 R/B# Ready/Busyoutput 准备好/忙碌 输出 VCC Power(+2.7V~3.6V) 电源(+2.7V~3.6V) VSS Ground 地 N.C Noconnection 空引脚 NANDflash 的数据是以bit 的方式保存在memorycell。一般一个cell 中只能存储一个 bit。这些cell 以8个或者 16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte （X8）/word （X16）， 这就是NANDdevice 的位宽。这些line组成page，page再组织形成一个block。 K9F1208 的相关数据如下： 1block=32page；1page=528byte=512byte(mainarea)+16byte(sparearea) 总容量为=4096(block)*32(page/block)*512(byte/page)=64MB NANDflash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。 按照K9F1208 的组织方式可以分为4类地址：columnaddress、halfpagepointer、page address、blockaddress。A[0:25]表示数据在64MB空间中的地址。 Columnaddress：表示数据在半页中的地址，大小范围0～255，用A[0:7]表示。 Halfpageaddress：表示半页在整页中的位置，即在0～255空间还是在256～511空间， 用A[8]表示。 Pageaddress：表示页在块中的地址，大小范围0～31，用A[9:13]表示。 Blockaddress：表示块