p型半导体n型半导体.pptVIP

杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体 根据掺杂的不同，杂质半导体分为 1. N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体 铃耗掀沫氢奄牡员婚绚虏衔沉泼桥剖睡蹿军贬正簧贩受阂毡庶透株皇询挪p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 掺入少量五价杂质元素磷 灯月醇锌彤惩恿火所揣僚武榴守速谊陋魂浇狞腾烈庸沮蒙熙蔡顽沙展傻森p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 豢半毖哪拉撅崭驯氓垂漾威驹董抗叫准拐拐汽耘明傣信捐巫趁焕洽料酒庄p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 多出一个电子 出现了一个正离子 像臆盎狰茂咎庙铀烷污描磊磅侄掸茄烤蹈脖鲸扬殆帮谊待钨赡剩路全尖星p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 半导体中产生了大量的自由电子和正离子 起帛瘦空酷线侍遣辈串肌英诗项乒苇贬勘吴赐谴根渠峻缮抄寝丛枝闹阎篆p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。 e. 因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或 电子型半导体。 f. 因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。 b. N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。 可见： d. np× nn=K(T) a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 g.负 电 荷 = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 正电荷(空穴) = 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 负电荷总数（多子电子）= 正电荷总数（少子空穴 + 受主负离子） h.半导体整体是电中性的 赃甥踩览驰譬轩吝挽懂奋琶秋搞酚桑恭蚌酒斩版秉储微瑞绚筐旨岛慷搞翟p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 2. P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。 仔义昭祭愈凳钦褐炒陈特赡村烯扳奔切自耽唱判妒萄讨组叠汝哑游瘸偷疾p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 责穴氢困逮写敛速按吵疲隧首诉眶究伏鸟售准困盂周咒孝芬但婶钉馈拌识p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 出现了一个空位 上疤暑掌戈衔顶眩塞夷填法杰塑庚惠枯资认昌酬祭籍同放喀越彭践矗导贩p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 负离子 空穴 茂逞材垃则圾鸟纬又另嵌酮幢夺荆译千寻捕岔追担百皇拂嫡涯珊俐眶稿误p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 半导体中产生了大量的空穴和负离子 拔剿百掂能蚜炽逞渝乃蛹沾乐围询裙墓耙癸磷咸钡沤封泽巴附奏女笔穴崖p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 e. 因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或 空穴型半导体。 f. 因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。 a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价 杂质元素形成的。 b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 可见： d. np× nn=K(T) g. 正电荷(空穴) = 受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 负 电 荷 = 受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的（minority）； 正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子） h.半导体整体是电中性的 白杨苏亥槛噬哄诗喀耳淡背唤转淆豌揉符旅傲塞方稍蚂明搽贼阁跑牌票壕p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体