Π MEMS移相器.pdfVIP

第32卷 第 1期 固体电子学研究与进展 Vol_32，No．1 2012年 2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．．2012 彳 、 、 微纳米技术 、 ’ Ka波段o／nMEMS移相器 郁元卫h 朱 健 。姜理利。施 毅 (南京大学 电子科学与工程学院，南京，210093) (。微波毫米波单片集成和模块 电路重点实验室，南京，210016) (。南京电子器件研究所 ，南京，210016) 2011-09—01收稿 ，2011—1i-30收改稿 摘要 ：报道了一种 Ka波段实时延MEMS移相器芯片 。该移相器基于开关线式移相器设计原理，集成 了4个 MEMS三端 口直接接触式毫米波开关单元，使用共面波导 (CPW)传输线，利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和 CPW 空气桥结构的传输线阻抗匹配 。芯片采用RFMEMS表面牺牲层工艺制作在400pm厚的高阻硅衬底上 ，面积 为 1．4mm×2．8mm。测试显示 ，在34～36GHz频率范围内，相移误差 3．2。，插入损耗2dB，反射损耗小于一15dB。 关键词 ：Ka波段 ；微机 电系统移相器 ；毫米波微机 电系统开关；开关线 中图分类号 ：TN623；TN385 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2012)01—0068·05 AKa—band0／丌MEMSPhaseShifter YU Yuanwei’’。 ZHU Jian。 JIANG Lili。 SHIYi (SchoolofElectronicScienceandEngineering，NanjingUniversity，Nanjing，210093，CHN) (ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratory，Nanjing，210016，CHN) (。Na ingElectronicDevicesInstitute，Na ing，210016，CHN ) Abstract：A true—time—delayKa—bando／nMEMSphaseshifterisreported，whichisbased on switched—line design and composed of4 dc—contact seriesM EMS switches． The stepped impedancecoplanarwaveguide (CPW )linesservetomitigatingthemismatchcausedbythebend connectersandair—bridgestructures．Thephaseshifterisfabricatedon a400 m thicknesshigh resistivity siliconwaferusinglow temperaturemetal—dielectricsurfacemicromachiningprocess， thechipsizeiS1．4mm ×2．8mm ．Experimentaldatashow amaximum phaseerrorof3．2。，an insertion1OSSof2dB andareturnlOSSofbetterthan 一 15dB from 34GHzto36GHz． Keywords：Kaband；M EM Sphaseshifter；RF MEM Sswitch；switched—line EEACC：2575D ；2575F