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半导体制造工艺流程;半导体相关知识;半 导体元件制造过程可分为;一、晶圆处理制程 ;二、晶圆针测制程 ;三、IC构装制程 ;半导体制造工艺分类;半导体制造工艺分类;半导体制造工艺分类;;双极型集成电路和MOS集成电路优缺点;半导体制造环境要求;半 导体元件制造过程;典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程;横向晶体管刨面图;纵向晶体管刨面图;NPN晶体管刨面图;1.衬底选择;第一次光刻—N+埋层扩散孔;外延层淀积;第二次光刻—P+隔离扩散孔;第三次光刻—P型基区扩散孔;第四次光刻—N+发射区扩散孔;第五次光刻—引线接触孔;第六次光刻—金属化内连线：反刻铝;CMOS工艺集成电路;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;集成电路中电阻1;集成电路中电阻2;集成电路中电阻3;集成电路中电阻4;集成电路中电阻5;集成电路中电容1;集成电路中电容2;主要制程介绍;矽晶圓材料（Wafer）;一般清洗技术;光 学 显 影 ;蝕刻技術（Etching Technology）;常见湿法蚀 刻 技 术 ;CVD化學气相沉積;化學气相沉積 CVD ;化 学 气 相 沉 积 技 术;物理气相沈積（PVD）;解 离 金 属 电 浆（淘气鬼）物 理 气 相 沉 积 技 术;离子植入（Ion Implant）;化 学 机 械 研 磨 技 术 ;制 程 监 控;光罩检测（Retical检查） ;铜制程技术;半导体制造过程;1 晶片切割（Die Saw）;2黏晶（Die Bond）;3銲線（Wire Bond）;4封膠（Mold）;5剪切/成形（Trim /Form）;6印字（Mark）;7檢驗（Inspection） ;8封　　 装 ;硅器件失效机理;典型的测试和检验过程;1。芯片测试（wafer sort） 2。芯片目检（die visual） 3。芯片粘贴测试（die attach） 4。压焊强度测试（lead bond strength） 5。稳定性烘焙（stabilization bake） 6。温度循环测试（temperature cycle） 8。 离心测试（constant acceleration）;9。渗漏测试（leak test） 10。高低温电测试 11。高温老化（burn-in） 12。老化后测试（post-burn-in electrical test）;芯片封装介绍 ;一、DIP双列直插式封装;Through-Hole Axial Radial;Through-Hole Axial Radial;Surface Mount Component (表面帖裝元件);Surface Mount Component (表面帖裝元件);Surface Mount Component (表面帖裝元件);二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装;Surface Mount Component;Surface Mount Component;BGA球栅阵列封装 ;三、PGA插针网格阵列封装;四、Surface Mount Component;五、CSP芯片尺寸封装;六、MCM多芯片模块;集成电路相关知识1;集成电路相关知识2;集成电路相关知识3;微处理器发展年表; 90纳米对半导体厂商来说，是更加尖端的技术领域，过去工艺都以“微米”做单位，微米(mm)是纳米(nm)的1000倍。我们常以工艺线宽来代表更先进的半导体技术，如0.25微米、0.18微米、0.13微米，0.13微米以下的更先进工艺则进入了纳米领域。;巡绎婿佐算姓踌瘸艺伸罩靛涎公琶圃虞乐柔办范梭愤诉严腮朴篮箔苯鼠靠半导体工流程半导体工流程;Best Wish For You