R8765ASG - 扬州国宇电子有限公司.PDFVIP

下载本文档

5
0
约3.64千字
约 1页
2017-06-15 发布于天津
举报
版权申诉

R8765ASG - 扬州国宇电子有限公司.PDF

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

R8765ASG - 扬州国宇电子有限公司

肖特基势垒二极管 Schottky Barrier Diode R8765ASG General Description （概述） R8765ASG using silicon extension process manufacturing; Low VF and Extreme Reliability. R8765ASG是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；低正向压降且高可靠性。 All of these Schottky Diodes are designed for applications sunch as Rectifier, Reverse polarity protection circuit. 该产品广泛用于整流、极性保护电路等。 Items （项目） Description （描述） Wafer Size 5 Inch 硅片尺寸 Gerneral Parameters 65V 10A 主要参数 Chip Size 2210 m 管芯尺寸(La) Pad Size 2090 m (Typical) 单颗压点尺寸(Lb) Chip Thickness 280 ± 20 m 芯片厚度(Lc) Surface Metal Ag 正面金属 Backside Metal Ag 背面金属 Cutting Street 50 m R8765ASG芯片表面简图划片道尺寸 Absolute Maximum ratings （极限参数，Ta=25℃） Parameter Symbol Value Units 参数符号额定值单位 DC Blocking Voltage V RRM 65 V 最大直流阻断电压 Average Rectified Forward Current I FAV 10 A 正向平均整流电流 Nonrepetitive Peak Surge Current@8