MOS FE T 低温热载流子效应 - 东南大学学报.PDF

期 大 第 卷 第 东 南 学 学 报 年 月 ! ∀ # ∃ ! %」 ‘ 子 低温热载流 效应 文‘卫 东 魏 同立 东 大 徽电子 中心 南京, 南 学 、 温下 , 温 , 与常 相 比 低 工作 器件具有许 优卢 但低温 热载流子 摘 多 显 , 温 引起的器 蜕变 明 增强 本文 简 研究了这种效应 包括低 热载流子 件 却 和 , 和 的行为 面态的产生及其对器 特性蜕变的影响 最后 从器 结构 工 界 件 件 作条 方面提 出 了抑制低温热载流子效应的设计 虑 件子 考 面 关键词 低温 热载流子效应 界 态 辐射 蜕变 图 中 法分类号 器 比 缩小 则使 路和系统的 提 , 也得到了极 微电子 件按 例 规 电 集成度大幅度 高 性能 大 改 当器 尺 进入深亚 量 , 物理和工 限 微细 面 极限 日益, 的 善 但 件 寸 微米 级时 基本 艺 制使 化 临 成 , 展 的 约 因 规 器 比 低温 工 器 具有 在的 势 载 为 发